FDS4435BZ
P 溝道 PowerTrench? MOSFET（金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管）
-30V，-8.8A，20 毫歐
特性
- 當 = -10V， = -8.8A 時，最大導通電阻為 20 毫歐
- 當 = -4.5V， = -6.7A 時，最大導通電阻為 35 毫歐
- 擴展的柵源電壓范圍（-25V），適用于電池應用
- 典型的人體放電模式（HBM）靜電放電（ESD）保護等級為 ±3.8 千伏（注釋 3）
- 高性能溝槽技術，可實現(xiàn)極低的導通電阻
- 高功率和電流處理能力
- 無鉛，符合 RoHS 標準
總體說明
這款 P 溝道 MOSFET 采用仙童半導體公司先進的 PowerTrench? 工藝生產，該工藝特別旨在將導通電阻降至最低。
此器件非常適合筆記本電腦和便攜式電池組中常見的電源管理和負載開關應用場景。
