產(chǎn)品特點(diǎn)
封裝尺寸：3.2×2.5mm 小型SMD貼片封裝
支持電源電壓：0.9V / 1.2V / 1.5V（典型）
頻率范圍：1MHz ~ 50MHz
低功耗：
0.9~1.5mA（典型工作電流，@15pF負(fù)載）
max待機(jī)電流：100μA
輸出邏輯：CMOS 單端輸出
啟動時間：max4ms
相位噪聲（@24MHz，Vdd=1.2V）：
-135 dBc/Hz @1kHz
-143 dBc/Hz @10kHz
-150 dBc/Hz @100kHz
-155 dBc/Hz @1MHz
相位抖動（RMS）：典型值 0.3ps（12kHz~20MHz）
周期抖動：峰值 ≤ 40ps
占空比：45%~55%
老化率：±3ppm/年（首年 @25°C）
Tri-State 功能：引腳1支持啟用/禁用
符合 RoHS / 無鉛標(biāo)準(zhǔn)
典型應(yīng)用
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備（IoT）
游戲主機(jī)與游戲控制器
智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)
可穿戴設(shè)備（手環(huán)、智能手表）
消費(fèi)類電子產(chǎn)品
設(shè)計(jì)建議
為確保晶體振蕩器性能，建議在 Vdd 與 GND 之間盡可能靠近器件的位置布置一個 0.1μF 的旁路電容，用于濾除電源噪聲并提高電源穩(wěn)定性。
