中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件，主要用于電子設備的功率控制。其工作原理基于增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通過控制柵極電壓來調節(jié)源極和漏極之間的導電通道，從而實現(xiàn)電流的控制。主要應用在消費適配器、電子工具和DC/DC 轉換器。

功能特性：

? 設備額定電壓VDS:=100V,連續(xù)工作時漏極電流上限 ID = 105A

? 導通電阻=8mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 20A

? 專有高密度溝槽技術

?符合RoHS和無鹵素 （不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產(chǎn)品）

封裝：DFN 5*6-8L

參數(shù)：

?VDS（Drain-Source Voltage）?：100V
?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對應最大漏極電流上限100A,Tc=100°對應漏極電流上限最大值66A
?IDM（Pulsed Drain Current）：420A
PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 對應208W,TA = 25℃對應2.08W
EAS單脈沖雪崩能量:161mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:60°C\W
RθJC:結到殼的熱阻:0.6°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
注：電氣特性 除非另有說明，TC=25℃，
1.數(shù)據(jù)在帶有2OZ銅的FR-4板上進行測試。
2.數(shù)據(jù)在脈沖下測試，脈沖寬度≦300，占空比≦2%。
3.EAS數(shù)據(jù)顯示最大額定值。測試條件為L=0.1mH，IAS=567A。
4.功率損耗受150℃結溫限制。
5.理論上，數(shù)據(jù)與ID和IDM相同，在實際應用中，應受功率損耗限制。