--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
BUK7210-55B-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它利用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供了較低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于需要高效率和高電流的應(yīng)用場景。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:BUK7210-55B-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ(VGS = 4.5V)
- 10mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**:58A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)
### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理系統(tǒng)**:BUK7210-55B-VB 非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻能夠減少能量損耗,提高整體電源效率,并在高負(fù)載情況下提供穩(wěn)定的性能。
2. **電動工具**:在電動工具中,該MOSFET 可用于電池管理和電機驅(qū)動系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保工具在高功率需求下的穩(wěn)定運行和高效能。
3. **電動汽車**:BUK7210-55B-VB 可應(yīng)用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機驅(qū)動控制。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高車輛性能和電池壽命,滿足復(fù)雜的電力需求。
4. **消費電子產(chǎn)品**:在需要高電流和高效能的消費電子產(chǎn)品中,如高級音響系統(tǒng)和電源適配器,BUK7210-55B-VB 能夠提供穩(wěn)定的性能和高效能,確保設(shè)備在高負(fù)載情況下的可靠運行。
BUK7210-55B-VB 的卓越電氣性能和高電流處理能力,使其在各種高要求應(yīng)用中表現(xiàn)出色,為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了高效、可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12