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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK752R3-40C-VB一種Single-N溝道TO220封裝MOS管

型號: BUK752R3-40C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 180A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK752R3-40C-VB 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品名稱**: BUK752R3-40C-VB

**封裝**: TO-220

**配置**: 單極N溝MOSFET

BUK752R3-40C-VB是一款高性能的N溝MOSFET,設(shè)計用于40V高電壓和超高電流應用。采用TO-220封裝和先進的Trench技術(shù),這款MOSFET具有極低的導通電阻和出色的電流處理能力,非常適合高效能和高可靠性的電子電路。

### 詳細參數(shù)說明

- **V_DS(漏源電壓)**: 40V  
 該MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。

- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V  
 MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。

- **V_th(柵極閾值電壓)**: 3V  
 使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。

- **R_DS(ON)(漏源導通電阻)**:
 - 15mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2mΩ @ V_GS = 10V  
 MOSFET在導通狀態(tài)下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關(guān)效率和更低的功率損耗。

- **I_D(連續(xù)漏極電流)**: 180A  
 MOSFET能夠承受的最大連續(xù)漏極電流。

- **技術(shù)**: Trench  
 采用Trench技術(shù),提供低導通電阻和高效性能。

### 應用領(lǐng)域

BUK752R3-40C-VB MOSFET適用于多種高電壓和超高電流的應用場景:

1. **電源管理**:
  - **高電流電源開關(guān)**: 適用于高電流開關(guān)應用,如高效開關(guān)電源(SMPS),其極低的R_DS(ON)值可以顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
  - **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中提供高效的電力轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),特別適用于處理極高電流的應用。

2. **電機控制**:
  - **電動機驅(qū)動**: 在電動機驅(qū)動系統(tǒng)中,如工業(yè)電機驅(qū)動或電動汽車(EV)電機控制,能夠處理高達180A的電流,提供高效、可靠的開關(guān)性能。
  - **伺服電機**: 在精密伺服電機控制系統(tǒng)中,如機器人和自動化設(shè)備,確保穩(wěn)定的超高電流控制。

3. **汽車應用**:
  - **電力分配系統(tǒng)**: 在汽車電力分配系統(tǒng)中處理高電流負載,確保電力系統(tǒng)的可靠性和高效性。
  - **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 在混合動力和電動汽車中提升電池管理系統(tǒng)性能,優(yōu)化超高電流處理能力。

4. **消費電子**:
  - **電源供應單元(PSU)**: 適用于高功率消費電子產(chǎn)品中的電源供應單元,如高性能計算機和音響系統(tǒng),提供高效的電源管理。
  - **充電解決方案**: 在超高電流充電應用中,如快速充電系統(tǒng)和高功率充電器,確保高效、可靠的充電過程。

BUK752R3-40C-VB以其極低的導通電阻和高電流處理能力,適合各種高電壓和超高電流的應用需求,確保系統(tǒng)的高效性和可靠性。

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