--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
- ID 150A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### BUK7611-55B-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
#### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
BUK7611-55B-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-263。這款 MOSFET 設(shè)計(jì)用于低電壓高電流應(yīng)用,能夠承受最大 60V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其門(mén)限電壓(Vth)為 3V,在 VGS = 10V 時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 4mΩ,支持的連續(xù)漏極電流(ID)最高可達(dá) 150A。該器件采用 Trench 技術(shù),適用于高效的電力開(kāi)關(guān)和管理應(yīng)用。
#### 詳細(xì)參數(shù):
- **封裝形式**:TO-263
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **門(mén)限電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:4mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:150A
- **技術(shù)**:Trench
#### 應(yīng)用實(shí)例:
1. **高功率開(kāi)關(guān)電源**:
BUK7611-55B-VB 適用于高功率開(kāi)關(guān)電源中,其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中具有優(yōu)異的性能。它可以提高開(kāi)關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,特別是需要高電流的應(yīng)用場(chǎng)景,BUK7611-55B-VB 提供了穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)能力。它的高電流承載能力確保電機(jī)在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和可靠性。
3. **電池管理系統(tǒng)**:
該 MOSFET 可以應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)中,尤其是在電動(dòng)汽車(chē)的電池組中。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效管理電池的充電和放電過(guò)程。
4. **大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器**:
在大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器中,BUK7611-55B-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高系統(tǒng)的整體效率和性能,從而減少能量損耗并提高照明效果。
5. **功率調(diào)節(jié)器**:
在功率調(diào)節(jié)器應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠處理高電流和高功率需求,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,用于各種功率管理和調(diào)節(jié)場(chǎng)合。
6. **工業(yè)電源管理**:
在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,BUK7611-55B-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于高效電力控制和管理,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
通過(guò)利用 BUK7611-55B-VB MOSFET 的優(yōu)良開(kāi)關(guān)性能和高電流承載能力,可以在多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效、可靠的電力控制和管理。
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