澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)（EBL）是一款高性能、高精度的光刻設(shè)備，專為半導(dǎo)體晶圓的高速、高分辨率光刻需求設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用先進(jìn)的場(chǎng)發(fā)射電子槍，結(jié)合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)，確保光刻質(zhì)量?jī)?yōu)異且效率卓越。標(biāo)配的高精度激光干涉樣品臺(tái)能夠滿足大行程高精度拼接和套刻需求，為復(fù)雜實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)任務(wù)提供可靠支持。其核心優(yōu)勢(shì)在于卓越的成像能力和靈活的掃描模式，可實(shí)現(xiàn)多種矢量掃描方式，包括順序掃描、循環(huán)掃描和螺旋型掃描，同時(shí)支持多圖層自動(dòng)曝光與場(chǎng)校準(zhǔn)功能，滿足多樣化的工藝要求。此外，設(shè)備兼容多種圖形文件格式，并可通過(guò)選配附件（如UPS不間斷電源和主動(dòng)減震臺(tái)）進(jìn)一步提升運(yùn)行穩(wěn)定性。無(wú)論是新材料研究、前沿物理探索，還是半導(dǎo)體、微電子、光子學(xué)及量子技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用，ZEL304G均表現(xiàn)出色，是科研與工程領(lǐng)域的理想選擇。
? 產(chǎn)品特色
▲ 激光干涉樣品臺(tái)：先進(jìn)的激光干涉樣品臺(tái)，滿足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 場(chǎng)發(fā)射電子槍：高分辨場(chǎng)發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證
▲ 圖形發(fā)生器：在保證超高速掃描的同時(shí)實(shí)現(xiàn)超高分辨率圖案繪制
? 樣品臺(tái)指標(biāo)
樣品臺(tái)指標(biāo) | |||
標(biāo)配 | 激光干涉樣品臺(tái) | ||
樣品臺(tái)行程 | ≤105 mm | ||
電子槍及成像指標(biāo) | |||
肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍 | 加速電壓20V~30kV；旁側(cè)二次電子探測(cè)器和鏡筒內(nèi)電子探測(cè)器 | ||
圖像分辨率 | ≤1nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1kV | ||
束流密度 | > 5300A/cm2 | ||
最小束斑尺寸 | ≤2nm | ||
光刻指標(biāo) | |||
電子束閘 | 上升沿<100ns | ||
寫視場(chǎng) | ≤500×500um | ||
最小單次曝光線寬 | 10 ±2nm | ||
掃描速度 | 25 MHz / 50 MHz | ||
圖形發(fā)生器參數(shù) | |||
控制核心 | 高性能FPGA | 停留時(shí)間最小增量 | 10ns |
最大掃描速度 | 50MHz | 圖形文件格式 | GDSII、DXF、BMP等 |
D/A分辨率 | 20位 | 法拉第杯束流測(cè)量 | 包含 |
支持的寫場(chǎng)大小 | 10um~500um | 臨近效應(yīng)校正 | 可選項(xiàng) |
束閘支持 | 5V TTL | 激光干涉位移臺(tái) | 可選項(xiàng) |
掃描方式 | 順序掃描（Z型）、循環(huán)掃描（S型）、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式 | ||
曝光模式 | 支持場(chǎng)校準(zhǔn)、場(chǎng)拼接，支持套刻，支持多圖層自動(dòng)曝光 | ||
外接通道支持 | 支持電子束掃描、工件臺(tái)移動(dòng)、束閘通斷、二次電子檢測(cè) | ||
? 應(yīng)用案例
▲均勻性測(cè)試
▲場(chǎng)拼接（游標(biāo)卡尺測(cè)量）和最小線寬測(cè)試
▲HSQ膠
▲PMMA膠
▲厚膠測(cè)試
▲長(zhǎng)光柵無(wú)縫拼接
▲電子束鄰近效應(yīng)校正功能 · 劑量校正效果
▲劑量校正前后對(duì)比
懇請(qǐng)注意：因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請(qǐng)諒解。如有疑問(wèn)或需要更多詳細(xì)信息，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系澤攸科技咨詢。
