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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPD50N06S3L-13-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD50N06S3L-13-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPD50N06S3L-13-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于高電壓和大電流應(yīng)用。該MOSFET具有60V的最大漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓范圍(VGS),提供了可靠的高電壓工作能力。其開啟閾值電壓為2.5V,確保了MOSFET在較低的柵電壓下就能高效導(dǎo)通。IPD50N06S3L-13-VB采用了Trench(溝槽)技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),可實(shí)現(xiàn)高效的電力開關(guān),廣泛應(yīng)用于電源管理和高功率密度的場(chǎng)景中。

### 參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO252
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ @ VGS=4.5V
 - 10mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:58A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:
1. **電源管理系統(tǒng)**:IPD50N06S3L-13-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適用于電源管理系統(tǒng)中,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)。它能夠在電源轉(zhuǎn)換過程中減少能量損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動(dòng)汽車(EV)**:在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器中,該MOSFET能夠處理高電流和高電壓,確保電動(dòng)汽車在高功率下的穩(wěn)定性和高效能。其高電流承載能力使得它能夠應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車在工作過程中產(chǎn)生的大電流需求。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)領(lǐng)域,IPD50N06S3L-13-VB適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高功率負(fù)載下提供高效和可靠的控制。

4. **通信設(shè)備**:在通信設(shè)備的電源模塊中,例如基站電源和其他高功率通信模塊,IPD50N06S3L-13-VB能夠處理高電流需求,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和能效優(yōu)化。

5. **太陽能逆變器**:由于其優(yōu)異的開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通電阻,這款MOSFET適用于太陽能逆變器中,實(shí)現(xiàn)高效的直流電到交流電轉(zhuǎn)換,提高整個(gè)太陽能發(fā)電系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

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