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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPDH5N03LA G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPDH5N03LA G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPDH5N03LA G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPDH5N03LA G-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。它支持最高 20V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS),并使用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)。該 MOSFET 具有非常低的導(dǎo)通電阻,在 VGS=2.5V 時(shí)為 6mΩ,在 VGS=4.5V 時(shí)為 4.5mΩ,同時(shí)可以承受高達(dá) 100A 的漏極電流。其優(yōu)異的性能使其在高電流應(yīng)用中具有極低的功耗和高效的開關(guān)性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:IPDH5N03LA G-VB 的低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于低電壓高電流的電源轉(zhuǎn)換器中。其高電流能力和低功耗特點(diǎn)提高了轉(zhuǎn)換效率,減少了熱量產(chǎn)生,是高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的理想選擇。

2. **電動(dòng)汽車和電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)汽車和電動(dòng)工具中,該 MOSFET 可以處理高電流需求,提供穩(wěn)定的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其低導(dǎo)通電阻有助于提高驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的整體效率,并降低能耗,適合用于電動(dòng)機(jī)控制和電池管理。

3. **負(fù)載開關(guān)應(yīng)用**:用于負(fù)載開關(guān)模塊時(shí),IPDH5N03LA G-VB 能夠高效地開關(guān)大電流負(fù)載。其高電流承載能力和低導(dǎo)通損耗確保了負(fù)載開關(guān)的可靠性,廣泛應(yīng)用于各種高電流開關(guān)場合。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于電流控制和保護(hù)電路。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,可以有效提高系統(tǒng)的效率,保障電池在高電流條件下的安全與長壽命。

IPDH5N03LA G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)及電池管理等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異,尤其適用于需要高效能和高功率處理的應(yīng)用。

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