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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPI070N08N3 G-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPI070N08N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IPI070N08N3 G-VB

IPI070N08N3 G-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用TO262封裝,專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET 具有80V的漏極-源極耐壓能力和85A的漏極電流承載能力。其采用Trench技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為6mΩ @ VGS=10V),確保在開關(guān)應(yīng)用中具有極低的功耗和高效能。這種特性使其在要求高電流和低功耗的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO262  
- **溝道類型**:單N溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:80V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:85A  
- **技術(shù)類型**:Trench  
- **熱性能**:優(yōu)秀的散熱特性,適合高功率密度應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高效DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  IPI070N08N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高效DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異。它能夠高效地處理電源轉(zhuǎn)換任務(wù),減少開關(guān)損耗,提高整體轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于電腦電源、通信設(shè)備電源和其他電源管理系統(tǒng)。

2. **電動汽車和混合動力汽車**
  在電動汽車和混合動力汽車的電源管理和電機驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET 提供了高電流處理能力和低功耗特性。它能夠處理電機的高電流需求,并確保系統(tǒng)在高負載下穩(wěn)定運行,提升汽車的動力系統(tǒng)效率。

3. **電池管理系統(tǒng)**
  該MOSFET 適用于電池管理系統(tǒng),能夠在電池充放電過程中提供高效的開關(guān)控制。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高電池的充電效率和放電穩(wěn)定性,確保電池系統(tǒng)的可靠性。

4. **LED驅(qū)動器**
  在LED驅(qū)動器應(yīng)用中,IPI070N08N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻有助于提供穩(wěn)定的電流輸出,驅(qū)動高功率LED。其高電流能力和低功耗特性確保了LED的高亮度和長壽命,同時減少了熱量產(chǎn)生和能量浪費。

5. **電機驅(qū)動系統(tǒng)**
  該MOSFET 也適用于電機驅(qū)動系統(tǒng),能夠處理電機控制中的高電流需求。其高效的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻使其成為電機驅(qū)動應(yīng)用中的理想選擇,幫助提高系統(tǒng)的效率和性能。

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