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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP015N04N G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP015N04N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 180A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP015N04N G-VB 產(chǎn)品簡介
IPP015N04N G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電流和中等電壓的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款 MOSFET 的漏源擊穿電壓為 40V,最大漏極電流可達(dá) 180A,具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能。其采用 Trench 技術(shù),以實(shí)現(xiàn)高效的開關(guān)控制和低能量損耗。IPP015N04N G-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高功率和高效率的電子應(yīng)用。

### 二、IPP015N04N G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220  
- **溝道配置**:單極 N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:40V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 15mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 2mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:180A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高功率開關(guān)電源**:
  IPP015N04N G-VB 在高功率開關(guān)電源(如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器)中非常適用。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠提高電源效率,減少能量損耗,并確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性能。

2. **電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  電動(dòng)汽車中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)需要處理高電流和中等電壓的應(yīng)用。IPP015N04N G-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中高效工作,提供可靠的電流控制。

3. **電池管理系統(tǒng)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,IPP015N04N G-VB 能夠有效控制和管理高電流,確保電池組的穩(wěn)定性和效率。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電池管理系統(tǒng)的整體性能。

4. **高功率負(fù)載開關(guān)**:
  在高功率負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IPP015N04N G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠高效地控制大功率負(fù)載,例如在高功率電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備中,提供穩(wěn)定的開關(guān)控制。

IPP015N04N G-VB 以其卓越的開關(guān)性能和高電流處理能力,適用于各種需要高效、高功率開關(guān)控制的應(yīng)用場景。

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