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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP039N04L G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP039N04L G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 110A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP039N04L G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP039N04L G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝為T(mén)O220。它專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì),提供了40V的最大漏源電壓和110A的高漏極電流能力。該MOSFET的柵源電壓范圍為±20V,柵極閾值電壓為2.5V,導(dǎo)通電阻為6mΩ(在VGS=10V時(shí))。采用Trench技術(shù),使得該MOSFET在開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)電性能上表現(xiàn)優(yōu)異。它特別適用于需要高電流處理和低能量損耗的應(yīng)用場(chǎng)景,提供了極好的功率管理解決方案。

### 二、IPP039N04L G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO220  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:40V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 7mΩ@VGS=4.5V
 - 6mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:110A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))  
- **特性**:低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,適合高功率應(yīng)用。

### 三、IPP039N04L G-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**:在電源管理系統(tǒng)中,IPP039N04L G-VB 可以作為高電流開(kāi)關(guān)使用,提供高效的電源轉(zhuǎn)換和管理。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高電源系統(tǒng)的整體效率,并減少能量損耗,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,IPP039N04L G-VB 的高電流處理能力和低能量損耗能夠有效支持電池和電機(jī)的高效工作。其低導(dǎo)通電阻有助于提升電動(dòng)汽車的能效和續(xù)航能力,同時(shí)確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

3. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為理想的功率開(kāi)關(guān)元件。它能高效地進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于大功率電子設(shè)備、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器等領(lǐng)域,滿足高效率和高功率的需求。

4. **工業(yè)電源模塊**:在工業(yè)電源模塊中,IPP039N04L G-VB 能夠處理高電流和高電壓應(yīng)用。其高電流承載能力和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能使其適用于工業(yè)電力管理系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能,滿足各種工業(yè)控制和電力管理需求。

IPP039N04L G-VB 以其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,在多個(gè)高功率應(yīng)用中提供了優(yōu)異的性能,能夠有效支持高效能電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

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