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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP05CN10L G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP05CN10L G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IPP05CN10L G-VB** 是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該MOSFET采用先進(jìn)的Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力。其主要應(yīng)用于需要高效開關(guān)和電源管理的電子設(shè)備中,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動機(jī)驅(qū)動器和功率放大器。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IPP05CN10L G-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單極N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**IPP05CN10L G-VB** 的優(yōu)異性能使其在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

1. **電源管理**: 該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適合用作高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件。例如,在高效電源轉(zhuǎn)換模塊中,它可以顯著減少能量損失和熱量產(chǎn)生,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動機(jī)驅(qū)動器**: 在電動機(jī)驅(qū)動電路中,IPP05CN10L G-VB 能夠提供穩(wěn)定和高效的開關(guān)操作。其高電流能力使其適用于要求高電流輸出的電動機(jī)控制系統(tǒng),如電動工具和電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)。

3. **功率放大器**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,該MOSFET也適用于功率放大器中,能夠處理高功率信號并確保放大器的穩(wěn)定運(yùn)行。在無線通信設(shè)備和音頻放大器中,IPP05CN10L G-VB 能夠有效地增強(qiáng)信號處理能力。

這些應(yīng)用中的共同特點是需要高效、可靠的開關(guān)元件來保證電路的穩(wěn)定性和性能,而IPP05CN10L G-VB憑借其優(yōu)越的參數(shù),能夠滿足這些需求。

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