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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP147N03L G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP147N03L G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP147N03L G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。它具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,非常適合用于要求高效率和低功耗的應(yīng)用。該MOSFET 的最大漏源電壓為30V,最大漏極電流可達(dá)80A。其閾值電壓為1.7V,保證了較低的柵源電壓即可有效導(dǎo)通。導(dǎo)通電阻在VGS=4.5V時(shí)為9mΩ,在VGS=10V時(shí)為6mΩ,使得在高電流應(yīng)用中能顯著減少功耗和發(fā)熱。IPP147N03L G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)(Trench),具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和熱管理能力。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 時(shí)為 9mΩ
 - VGS=10V 時(shí)為 6mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:80A
- **技術(shù)類(lèi)型**:溝槽MOSFET(Trench)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +175°C
- **封裝引腳配置**:3引腳(Drain、Gate、Source)

### 三、適用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:IPP147N03L G-VB 在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合作為開(kāi)關(guān)元件,提高電源效率并減少能量損耗。這使其成為電源適配器、計(jì)算機(jī)電源等設(shè)備的理想選擇。

2. **電動(dòng)汽車(chē)(EV)**:該MOSFET 適用于電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效控制電池電流,提高電動(dòng)汽車(chē)的性能和可靠性,并延長(zhǎng)電池壽命。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,IPP147N03L G-VB 能夠處理高電流負(fù)載,適用于各種電機(jī)控制應(yīng)用。它的優(yōu)良散熱性能和低功耗特性有助于電機(jī)在負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和家用電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

4. **電池保護(hù)電路**:該MOSFET 也適用于電池保護(hù)電路,特別是在鋰電池管理系統(tǒng)中。它能夠有效地處理大電流,保護(hù)電池免受過(guò)流和過(guò)壓影響,確保電池的安全運(yùn)行。

5. **逆變器**:在逆變器系統(tǒng)中,IPP147N03L G-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻對(duì)于處理功率轉(zhuǎn)換非常重要。它能夠提高逆變器的效率和穩(wěn)定性,適用于太陽(yáng)能逆變器、UPS系統(tǒng)等高功率逆變器應(yīng)用。

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