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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP47N10S-33-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP47N10S-33-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 36mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

IPP47N10S-33-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該MOSFET 的最大漏源電壓為100V,使其適合于中高電壓應(yīng)用。其閾值電壓為1.8V,確保在較低的柵源電壓下即可開啟。導(dǎo)通電阻在VGS=4.5V時為38mΩ,在VGS=10V時為36mΩ,這使得它在高電流應(yīng)用中具有較低的功耗和熱損耗。最大漏極電流為55A,適合用于要求高電流的應(yīng)用場景。IPP47N10S-33-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)(Trench),確保了優(yōu)良的開關(guān)性能和熱管理能力。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:100V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 時為 38mΩ
 - VGS=10V 時為 36mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:55A
- **技術(shù)類型**:溝槽MOSFET(Trench)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +175°C
- **封裝引腳配置**:3引腳(Drain、Gate、Source)

### 三、適用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:IPP47N10S-33-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于開關(guān)電源中。它可以高效地處理高電流負(fù)載,保持較低的功耗,進(jìn)而提高電源的整體效率和穩(wěn)定性。

2. **電動工具和電機(jī)驅(qū)動**:在電動工具和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET 能夠處理較大的電流負(fù)載,適用于高功率電機(jī)的開關(guān)控制。其低導(dǎo)通電阻有助于減少熱損耗,提高系統(tǒng)的可靠性。

3. **汽車電子系統(tǒng)**:IPP47N10S-33-VB 可以用于汽車電子系統(tǒng)中,如電動窗、電動座椅和風(fēng)扇控制。它的高電流承載能力和低功耗特性提高了這些系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。

4. **逆變器和UPS系統(tǒng)**:在逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,IPP47N10S-33-VB 的高電流處理能力和良好的開關(guān)性能使其成為理想選擇。它能夠高效地進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換,確保在電力中斷時穩(wěn)定供電。

5. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:該MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在鋰電池保護(hù)電路中。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠有效管理電池的充放電過程,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

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