日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

IPP50CN10N G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP50CN10N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 36mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

IPP50CN10N G-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為中高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓 (VDS) 為 100V,允許的柵極電壓 (VGS) 為 ±20V。該 MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時(shí)為 38mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為 36mΩ,支持高達(dá) 55A 的漏極電流 (ID)。其優(yōu)異的電氣性能和可靠性使其適用于各種要求中高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)景。

**二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 38mΩ @ VGS=4.5V
 - 36mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:55A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)技術(shù)

**三、適用領(lǐng)域和模塊:**

1. **電源管理系統(tǒng)**:IPP50CN10N G-VB 適用于各種電源管理系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件,如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和電壓調(diào)節(jié)器。其高電壓和中等電流處理能力使其在電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓模塊中能夠提供穩(wěn)定的性能,確保高效率的電源管理。

2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具的電源控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源開(kāi)關(guān)。其高電流承載能力和較低的導(dǎo)通電阻使其能夠在高功率環(huán)境下提供可靠的性能,提高工具的效率和耐用性。

3. **汽車電子**:IPP50CN10N G-VB 可以應(yīng)用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動(dòng)控制模塊。其高電壓和中等電流處理能力使其適合用于車載電源系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng),確保汽車電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,這款 MOSFET 可以用作電池保護(hù)開(kāi)關(guān)和電流控制元件。其高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻有助于實(shí)現(xiàn)對(duì)電池的有效管理,防止過(guò)流和過(guò)熱,提升系統(tǒng)的安全性和可靠性。

5. **太陽(yáng)能逆變器**:該 MOSFET 也適用于太陽(yáng)能逆變器中。它的高電壓和中等電流處理能力使其能夠在光伏系統(tǒng)中高效地轉(zhuǎn)換電力,確保逆變器在光伏系統(tǒng)中的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    744瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    617瀏覽量
昌平区| 顺昌县| 松桃| 平远县| 临沭县| 汕头市| 汝阳县| 紫阳县| 横峰县| 海晏县| 绥芬河市| 富阳市| 利川市| 蓬溪县| 新泰市| 宁国市| 天津市| 凤山县| 湖口县| 镇江市| 彝良县| 云浮市| 红安县| 昌吉市| 探索| 偃师市| 乳源| 昌图县| 孟州市| 响水县| 长白| 保康县| 南和县| 临沧市| 武宣县| 满洲里市| 孙吴县| 开鲁县| 荣成市| 平遥县| 新竹市|