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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP50N10S3L-16-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP50N10S3L-16-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP50N10S3L-16-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPP50N10S3L-16-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電壓和高電流應用設計。該MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 100V,能夠處理高達 100A 的漏極電流(ID)。其柵極閾值電壓(Vth)為 2.5V,使其在較低的柵源電壓下也能有效開關。MOSFET 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 10V 時為 9mΩ,在 VGS 為 4.5V 時為 20mΩ。結合了先進的溝槽技術(Trench),IPP50N10S3L-16-VB 提供了卓越的開關速度和低功率損耗,適用于各種高功率和高效率的電源管理系統(tǒng)。

### IPP50N10S3L-16-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 9mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**: 100A  
- **技術**: 溝槽技術 (Trench)  
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 150W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
- **開關速度**: 快速開關  
- **電容參數(shù)**: 低輸入電容和輸出電容,優(yōu)化開關性能  
- **抗沖擊能力**: 適應嚴苛環(huán)境條件

### IPP50N10S3L-16-VB 應用領域與模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  在電源管理系統(tǒng)中,IPP50N10S3L-16-VB 可作為開關器件,處理高電壓和高電流的電源開關任務。它的低導通電阻和高電流能力使其在電源分配和電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異,有助于提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。

2. **電機驅(qū)動**  
  在電機驅(qū)動應用中,尤其是需要處理高電流的直流電機和步進電機控制中,該MOSFET 能夠提供高效的開關控制。其高電流處理能力和低功耗特性可以有效提升電機的性能和響應速度。

3. **功率逆變器**  
  在功率逆變器應用中,IPP50N10S3L-16-VB 能夠?qū)⒅绷麟娫崔D(zhuǎn)換為交流電源。其高電壓承受能力和低導通電阻確保了逆變器的高效能和穩(wěn)定性,適合用于太陽能逆變器、風力發(fā)電系統(tǒng)及其他需要高功率轉(zhuǎn)換的場合。

4. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**  
  在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET 作為關鍵開關器件,可實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。其低導通電阻和快速開關特性優(yōu)化了轉(zhuǎn)換效率,降低了功率損耗,適合于要求高效率的應用環(huán)境。

5. **電池管理系統(tǒng)**  
  在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,尤其是處理高電壓和高電流的電池系統(tǒng)中,IPP50N10S3L-16-VB 可用作電池開關控制器。其優(yōu)異的導通電阻和高電流能力能優(yōu)化電池性能,提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。

通過其優(yōu)越的開關性能和高電流處理能力,IPP50N10S3L-16-VB 在電源管理、電機驅(qū)動、功率逆變器等多個高功率應用中都能夠發(fā)揮關鍵作用,確保系統(tǒng)的高效運行和可靠性。

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