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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP65R280E6-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP65R280E6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 210mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP65R280E6-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP65R280E6-VB 是一款高耐壓N溝道MOSFET,封裝形式為TO220。其設(shè)計(jì)目標(biāo)是處理高電壓環(huán)境中的電源開關(guān)與管理。該MOSFET具有700V的漏源極電壓(VDS),使其適用于需要高電壓耐受的應(yīng)用。采用SJ(超結(jié))多重外延技術(shù)(SJ_Multi-EPI),該MOSFET在高電壓下提供較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,適合用在需要高功率轉(zhuǎn)換和高效電源管理的場(chǎng)合。

### IPP65R280E6-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:700V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:210mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:20A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI 超結(jié)多重外延技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:
 - 低柵極電荷,提升開關(guān)速度
 - 高電壓耐受性,適合高壓應(yīng)用
 - 出色的熱性能,支持高電流輸出

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)**:IPP65R280E6-VB 特別適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換模塊,例如在工業(yè)電源和電力系統(tǒng)中。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻可提升電源轉(zhuǎn)換效率,并在高壓條件下保持穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電力逆變器**:在電力逆變器中,該MOSFET可以有效處理高電壓輸入,適用于太陽能逆變器和風(fēng)能逆變器等應(yīng)用。其高電壓和高功率處理能力確保逆變器的穩(wěn)定運(yùn)行,能夠處理較大的功率負(fù)荷。

3. **不間斷電源(UPS)系統(tǒng)**:IPP65R280E6-VB 適用于不間斷電源系統(tǒng),能夠應(yīng)對(duì)UPS系統(tǒng)中常見的高電壓和高電流條件。其優(yōu)良的開關(guān)性能和高耐壓能力使其在應(yīng)急電源系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,確保系統(tǒng)在斷電情況下仍能穩(wěn)定供電。

4. **高壓照明系統(tǒng)**:該MOSFET 可用于高壓照明系統(tǒng)如LED驅(qū)動(dòng)器或高壓鹵素?zé)艨刂齐娐?。其高電壓耐受性和低?dǎo)通電阻使其能夠在高電壓條件下有效控制電流,提升照明系統(tǒng)的能效和壽命。

這些應(yīng)用展示了IPP65R280E6-VB 在處理高電壓和高功率應(yīng)用中的廣泛適用性和可靠性。

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