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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP80CN10N G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP80CN10N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 36mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP80CN10N G-VB 產(chǎn)品簡介

IPP80CN10N G-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝形式為TO220。這款MOSFET采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),具有100V的擊穿電壓和非常低的導(dǎo)通電阻,適用于要求高效能和高電流的電源管理應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻在不同的柵極電壓下提供了優(yōu)秀的電流傳輸性能,使其在各種功率轉(zhuǎn)換和控制電路中表現(xiàn)出色。

### 二、IPP80CN10N G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:100V
- **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 36mΩ @ VGS = 10V
 - 38mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**:55A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:IPP80CN10N G-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,非常適合用作開關(guān)電源中的開關(guān)元件。在這種應(yīng)用中,它能夠提供高效的電流轉(zhuǎn)換,減少功率損耗。

2. **電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**:在電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET 能夠處理較高的電流,并提供可靠的開關(guān)控制。其高電流能力使其適用于工業(yè)電動機(jī)和其他高功率電動機(jī)應(yīng)用。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:對于DC-DC轉(zhuǎn)換器,IPP80CN10N G-VB 的低導(dǎo)通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換效率,并減少功率損耗。這使其成為高效能電壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的理想選擇。

4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,這款MOSFET 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保了穩(wěn)定的充電和放電控制,提升了系統(tǒng)的整體性能和安全性。

5. **不間斷電源 (UPS)**:在UPS系統(tǒng)中,IPP80CN10N G-VB 能夠處理高電流和高功率要求,其低導(dǎo)通電阻有助于提高UPS系統(tǒng)的效率和可靠性,確保電力中斷時提供持續(xù)的電力供應(yīng)。

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