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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP80P04P4-05-VB一款TO220封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP80P04P4-05-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID -110A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP80P04P4-05-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP80P04P4-05-VB 是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用TO220封裝。它具有-40V的擊穿電壓和極低的導(dǎo)通電阻,適用于需要高效率和高電流的負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該MOSFET采用了Trench技術(shù),提供優(yōu)異的電流承載能力和低開(kāi)關(guān)損耗,使其在高功率和高電流場(chǎng)景下表現(xiàn)出色。

### 二、IPP80P04P4-05-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜳溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:-40V
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4mΩ @ VGS = 10V
 - 4.8mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**:-110A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**:IPP80P04P4-05-VB 在電源管理模塊中能高效地控制電源流動(dòng)。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,非常適合用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他電源控制應(yīng)用。

2. **電動(dòng)機(jī)控制**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,這款P溝道MOSFET 能夠提供高電流開(kāi)關(guān)功能,適用于電動(dòng)機(jī)的反向和調(diào)速控制。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)效率。

3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:在各種負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,IPP80P04P4-05-VB 能夠處理高電流和高功率負(fù)載,其低導(dǎo)通電阻減少了開(kāi)關(guān)損耗,提高了整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

4. **功率逆變器**:在功率逆變器系統(tǒng)中,該MOSFET 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升逆變器的效率,支持高功率輸出,確保穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換。

5. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,IPP80P04P4-05-VB 能夠高效地處理充電和放電控制。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和性能。

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