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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP80P04P4L-08-VB一款TO220封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP80P04P4L-08-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID -110A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP80P04P4L-08-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP80P04P4L-08-VB 是一款P溝道功率MOSFET,封裝為T(mén)O-220,采用Trench技術(shù)制造。這款MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為-40V,適用于負(fù)電壓環(huán)境。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時(shí)為4.8mΩ,在VGS=10V時(shí)為4mΩ,具有極低的導(dǎo)通電阻,可以處理高達(dá)-110A的漏極電流(ID)。這些特性使得IPP80P04P4L-08-VB 在需要高電流和低導(dǎo)通電阻的負(fù)電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 二、IPP80P04P4L-08-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO-220  
- **溝道配置**:?jiǎn)蜳溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-40V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:-3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:4.8mΩ @ VGS=4.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:4mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:-110A  
- **功耗**:取決于實(shí)際散熱條件  
- **工作溫度范圍**:寬廣的工作溫度范圍,具體依實(shí)際應(yīng)用而定  
- **技術(shù)**:Trench  

### 三、IPP80P04P4L-08-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:IPP80P04P4L-08-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件。在轉(zhuǎn)換器中,它可以高效地處理負(fù)電壓,提升轉(zhuǎn)換效率并減少功率損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,尤其是需要處理負(fù)電壓的場(chǎng)合,該MOSFET 提供了高電流和低導(dǎo)通電阻,有助于提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的整體性能,減少功耗和發(fā)熱。

3. **功率管理系統(tǒng)**:IPP80P04P4L-08-VB 適用于各種功率管理系統(tǒng),如負(fù)電壓電池管理和負(fù)電壓不間斷電源(UPS)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了系統(tǒng)在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **高功率開(kāi)關(guān)**:在需要高功率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景中,如高功率電源模塊和電源分配系統(tǒng),IPP80P04P4L-08-VB 提供了極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠有效提升開(kāi)關(guān)性能和整體系統(tǒng)效率。

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