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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPS118N10N G-VB一款TO251封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPS118N10N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO251
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 12.5mΩ@VGS=10V
  • ID 65A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPS118N10N G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPS118N10N G-VB 是一款采用 TO251 封裝的高性能單通道 N 型 MOSFET,設(shè)計(jì)用于高電流應(yīng)用場(chǎng)景,能夠承受 100V 的漏源極電壓,具有 65A 的持續(xù)漏極電流能力。其較低的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON) = 12.5mΩ @ V_GS=10V)在高電流條件下顯著減少功率損耗,提升了系統(tǒng)的效率和性能。該器件采用 Trench 技術(shù),優(yōu)化了開關(guān)速度和熱管理特性,確保了高效電力傳輸和系統(tǒng)穩(wěn)定性,適用于工業(yè)、汽車電子、電源管理等多個(gè)領(lǐng)域。

### 二、IPS118N10N G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:IPS118N10N G-VB
- **封裝類型**:TO251
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 型
- **漏源極電壓 (V_DS)**:100V
- **柵源極電壓 (V_GS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (V_th)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:12.5mΩ @ V_GS=10V
- **漏極電流 (I_D)**:65A
- **技術(shù)工藝**:Trench

**參數(shù)詳解**:

1. **封裝類型(TO251)**:TO251 封裝具有良好的熱性能,適用于要求嚴(yán)格散熱管理的高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
2. **單通道 N 型設(shè)計(jì)**:支持精確的電流控制,適合各種開關(guān)調(diào)節(jié)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
3. **漏源極電壓 (V_DS = 100V)**:適合中高壓電源開關(guān)和逆變器等應(yīng)用場(chǎng)景。
4. **柵源極電壓 (V_GS = 20V)**:較高的柵極電壓提高了工作穩(wěn)定性,適合苛刻的工作條件。
5. **閾值電壓 (V_th = 1.8V)**:較低的閾值電壓使其在低壓應(yīng)用中有良好的開關(guān)性能和更快的響應(yīng)速度。
6. **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON) = 12.5mΩ @ V_GS=10V)**:低導(dǎo)通電阻在高電流應(yīng)用中減少了功率損耗,提升了系統(tǒng)效率。
7. **漏極電流 (I_D = 65A)**:大電流承載能力確保其在高電流需求的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。
8. **技術(shù)工藝(Trench)**:Trench 工藝優(yōu)化了器件的電氣性能,提供了更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通損耗。

### 三、IPS118N10N G-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源管理**:IPS118N10N G-VB 在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電壓調(diào)節(jié)器中廣泛應(yīng)用,作為高效的開關(guān)元件,有效處理高電流,減少功率損耗,并提高系統(tǒng)整體效率。它特別適用于需要高電流、高效率的工業(yè)電源、服務(wù)器電源和消費(fèi)類電子設(shè)備。
  
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制中,該 MOSFET 用作高效的開關(guān)器件,控制電機(jī)的啟動(dòng)、加速和運(yùn)行,尤其適用于電動(dòng)工具、自動(dòng)化設(shè)備、電動(dòng)汽車等高電流和低損耗要求的應(yīng)用。

3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,IPS118N10N G-VB 作為功率轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵組成部分,用于高效的電池管理系統(tǒng)(BMS)、汽車控制單元(ECU)、以及啟動(dòng)/停止系統(tǒng),提供高效的電流管理和能量轉(zhuǎn)換,提升汽車的電能利用率和可靠性。

4. **逆變器和光伏應(yīng)用**:在太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中,該器件可用作高效的開關(guān)元件,處理從直流到交流的功率轉(zhuǎn)換需求,保證系統(tǒng)的高效率與可靠性,適用于家用和工業(yè)級(jí)光伏系統(tǒng)。

IPS118N10N G-VB 的低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力,使其能夠在多個(gè)高性能應(yīng)用領(lǐng)域中發(fā)揮關(guān)鍵作用,包括電力轉(zhuǎn)換、電源管理、工業(yè)控制與汽車電子等,確保系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。

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