--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
- ID 47A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPW60R099CPA-VB 產(chǎn)品簡介
IPW60R099CPA-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝形式為TO247。這款MOSFET 具有650V的高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻,采用了超級結(jié)(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術(shù),專為高電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計。IPW60R099CPA-VB 提供了優(yōu)良的電流承載能力和低開關(guān)損耗,適用于各種要求高電壓和高效率的電源管理和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
### 二、IPW60R099CPA-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO247
- **配置**:單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:650V
- **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:75mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:47A
- **技術(shù)**:超級結(jié)(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:IPW60R099CPA-VB 在開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其650V的擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高電壓環(huán)境下高效地開關(guān)電源,適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器,提供穩(wěn)定的電流和功率輸出。
2. **功率逆變器**:在功率逆變器系統(tǒng)中,這款MOSFET 可以處理高電壓和高電流,確保電能從直流到交流的高效轉(zhuǎn)換。它的高電壓耐受能力和低開關(guān)損耗使其適用于太陽能逆變器和其他工業(yè)逆變器應(yīng)用。
3. **工業(yè)電源管理**:IPW60R099CPA-VB 可用于各種工業(yè)電源管理模塊,包括電動機驅(qū)動系統(tǒng)和高功率負(fù)載開關(guān)。其優(yōu)異的電流承載能力和高耐壓性能使其能夠可靠地管理大功率負(fù)載。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在高壓電池管理系統(tǒng)中,IPW60R099CPA-VB 提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,有助于提高電池組的充電和放電效率。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻提高了系統(tǒng)的整體性能和安全性。
5. **不間斷電源(UPS)**:該MOSFET 可以在UPS系統(tǒng)中處理高電壓和高電流需求,確保在電力中斷時提供可靠的電源轉(zhuǎn)換和高效的功率管理,保護關(guān)鍵設(shè)備免受電力中斷影響。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12