--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
- ID 47A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPW60R125C6-VB 產(chǎn)品簡介
IPW60R125C6-VB 是一款高壓單通道 N 型 MOSFET,采用 TO247 封裝,專為高效率、高功率密度的應用設(shè)計。其漏源極電壓 (VDS) 為 650V,能夠承受極高電壓,確保在高壓應用中具有良好的性能。柵源極電壓 (VGS) 的額定值為 ±30V,開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,提供了靈敏的控制特性。該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 75mΩ (VGS=10V),具有高電流能力,最大漏極電流 (ID) 為 47A。該產(chǎn)品采用了超級結(jié) (SJ) 和多層外延 (Multi-EPI) 技術(shù),在開關(guān)速度、能效和功率密度方面有顯著的提升,非常適用于高效能的電力電子設(shè)備。
### 二、IPW60R125C6-VB 詳細參數(shù)說明
1. **封裝類型**:TO247
2. **配置**:單通道 N 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**:650V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
5. **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 75mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:47A
8. **技術(shù)類型**:超級結(jié) (SJ) 和多層外延 (Multi-EPI) 技術(shù)
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
10. **熱阻**:1.0°C/W (典型,結(jié)到殼)
11. **功率耗散**:250W
12. **開關(guān)速度**:快速切換性能,低 Qg (柵極電荷) 和低 Eoss (輸出電容能量損耗)
13. **封裝尺寸**:TO247 封裝,適合大電流傳導應用和散熱設(shè)計
### 三、應用領(lǐng)域和模塊示例
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:IPW60R125C6-VB 是高效開關(guān)電源中的理想選擇,特別是在工業(yè)和消費類電子設(shè)備中,其高電壓和低導通電阻確保了低功率損耗和高效率,廣泛應用于服務器電源、數(shù)據(jù)中心電源以及消費類電源適配器中。
2. **太陽能逆變器**:在太陽能光伏逆變器中,該 MOSFET 的高電壓和電流能力使其能夠處理太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的大功率需求,同時保持極高的能效,能夠提升整體系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率,適合應用于大功率光伏發(fā)電場和家庭太陽能系統(tǒng)中。
3. **電動汽車逆變器**:IPW60R125C6-VB 在電動汽車 (EV) 的驅(qū)動逆變器中有廣泛應用。其低導通電阻和高電流能力確保了驅(qū)動電機的高效工作,同時降低了熱損耗,提高了系統(tǒng)可靠性,適用于各類電動汽車和混合動力汽車的逆變器模塊。
4. **不間斷電源 (UPS)**:在 UPS 系統(tǒng)中,IPW60R125C6-VB 提供了可靠的高電壓、高電流處理能力,有效提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,確保電源故障時的無縫切換,適用于工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和家庭的 UPS 設(shè)備。
5. **高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用中,該 MOSFET 提供了高效的電能轉(zhuǎn)換和低功率損耗,適合用于電力電子系統(tǒng)、通信設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率模塊。
通過 IPW60R125C6-VB 這種高性能 MOSFET,用戶可以在諸如開關(guān)電源、太陽能逆變器、電動汽車逆變器、UPS 以及高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等高效能和高功率密度的應用中,獲得更高的效率和可靠性。這種基于 SJ_Multi-EPI 技術(shù)的 MOSFET 能夠有效降低導通損耗,并保持快速開關(guān)性能,非常適合要求嚴苛的電力電子系統(tǒng)。
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