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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPW65R420CFD-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW65R420CFD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 430mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW65R420CFD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPW65R420CFD-VB 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于平面技術(shù)(Plannar Technology)制造。這款MOSFET 具有650V的最大漏源電壓(VDS),能夠承載高達(dá)18A的漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為430mΩ(在VGS=10V下),適用于需要較高電壓耐受能力和合理電流承載的應(yīng)用場(chǎng)合。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了高電壓條件下的性能,適用于高電壓電源和功率管理系統(tǒng)。

### 二、IPW65R420CFD-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO-247  
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:430mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:18A  
- **功耗**:取決于具體應(yīng)用和散熱條件  
- **工作溫度范圍**:依據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境  
- **技術(shù)**:平面技術(shù)(Plannar)  

### 三、IPW65R420CFD-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓開關(guān)電源**:IPW65R420CFD-VB 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中非常適用。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其650V的高耐壓能力使其在需要處理高電壓的場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。這款MOSFET 能夠在高壓開關(guān)電源中穩(wěn)定工作,確保系統(tǒng)的高效能。

2. **逆變器**:在高壓逆變器模塊中,IPW65R420CFD-VB 可以處理高電壓開關(guān),適用于光伏逆變器或工業(yè)逆變器。雖然導(dǎo)通電阻較高,但它能夠在高電壓環(huán)境中提供穩(wěn)定的性能,確保逆變器的可靠性。

3. **電力轉(zhuǎn)換器**:用于各種電力轉(zhuǎn)換器,如工業(yè)電源和高壓電源轉(zhuǎn)換模塊。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓處理能力使其在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中適合處理高電壓和中等電流的負(fù)載。

4. **功率管理系統(tǒng)**:在需要高電壓耐受能力的功率管理系統(tǒng)中,IPW65R420CFD-VB 能夠穩(wěn)定工作。它適用于高電壓應(yīng)用中的功率開關(guān)和管理,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。雖然導(dǎo)通電阻較高,但其設(shè)計(jì)和高電壓耐受能力使其適合特定應(yīng)用中的功率管理需求。### 一、IPW65R420CFD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPW65R420CFD-VB 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于平面技術(shù)(Plannar Technology)制造。這款MOSFET 具有650V的最大漏源電壓(VDS),能夠承載高達(dá)18A的漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為430mΩ(在VGS=10V下),適用于需要較高電壓耐受能力和合理電流承載的應(yīng)用場(chǎng)合。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了高電壓條件下的性能,適用于高電壓電源和功率管理系統(tǒng)。

### 二、IPW65R420CFD-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO-247  
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:430mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:18A  
- **功耗**:取決于具體應(yīng)用和散熱條件  
- **工作溫度范圍**:依據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境  
- **技術(shù)**:平面技術(shù)(Plannar)  

### 三、IPW65R420CFD-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓開關(guān)電源**:IPW65R420CFD-VB 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中非常適用。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其650V的高耐壓能力使其在需要處理高電壓的場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。這款MOSFET 能夠在高壓開關(guān)電源中穩(wěn)定工作,確保系統(tǒng)的高效能。

2. **逆變器**:在高壓逆變器模塊中,IPW65R420CFD-VB 可以處理高電壓開關(guān),適用于光伏逆變器或工業(yè)逆變器。雖然導(dǎo)通電阻較高,但它能夠在高電壓環(huán)境中提供穩(wěn)定的性能,確保逆變器的可靠性。

3. **電力轉(zhuǎn)換器**:用于各種電力轉(zhuǎn)換器,如工業(yè)電源和高壓電源轉(zhuǎn)換模塊。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓處理能力使其在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中適合處理高電壓和中等電流的負(fù)載。

4. **功率管理系統(tǒng)**:在需要高電壓耐受能力的功率管理系統(tǒng)中,IPW65R420CFD-VB 能夠穩(wěn)定工作。它適用于高電壓應(yīng)用中的功率開關(guān)和管理,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。雖然導(dǎo)通電阻較高,但其設(shè)計(jì)和高電壓耐受能力使其適合特定應(yīng)用中的功率管理需求。

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