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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IR9351-VB一款DFN6(2X2)-B封裝P+P-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IR9351-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package DFN6(2X2)-B
  • Configurat Dual-P+P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 12(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 38mΩ@VGS=10V
  • ID -5.4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IR9351-VB 產(chǎn)品簡介

IR9351-VB 是一款采用 DFN6(2X2)-B 封裝的雙 P-通道 MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 -30V,柵源電壓 (VGS) 最大為 ±12V,適用于低壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它基于先進的溝槽 (Trench) 技術(shù)制造,具備高效的導(dǎo)通和關(guān)斷性能,并能顯著降低導(dǎo)通損耗。其兩組 P-通道 MOSFET 的設(shè)計適用于需要雙向電流控制的電路,有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計并提高功率密度。

### 二、IR9351-VB 參數(shù)說明

- **封裝**: DFN6(2X2)-B  
- **配置**: 雙 P+P-通道  
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V  
- **柵源電壓 (VGS)**: 12V (最大 ±V)  
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 60mΩ @ VGS=4.5V  
 - 38mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: -5.4A  
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理模塊**: IR9351-VB 適用于低電壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,尤其是在電源管理模塊中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和負載開關(guān)。其雙 P-通道配置簡化了反向保護電路的設(shè)計,同時降低了功率損耗。

2. **消費類電子設(shè)備**: 在手機、平板電腦等便攜式設(shè)備中,IR9351-VB 可以用于電池管理和電源切換電路。其低導(dǎo)通電阻特性可有效提高設(shè)備的能效并延長電池壽命。

3. **汽車電子系統(tǒng)**: 在車載低壓電源管理和傳感器電路中,該雙 P-通道 MOSFET 可用于驅(qū)動電機、控制燈光等電子設(shè)備,提供高效的功率切換能力,同時確保車載電路的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **工業(yè)自動化與控制系統(tǒng)**: IR9351-VB 也可應(yīng)用于工業(yè)自動化設(shè)備中的低功耗電源模塊,如機器人電源管理和電機驅(qū)動電路,其耐用性和可靠性適用于高頻切換場景。

通過上述特性與應(yīng)用場景,IR9351-VB 提供了良好的性能與效率平衡,非常適合需要低壓功率控制的各種模塊與領(lǐng)域。

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