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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1404ZGPBF-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1404ZGPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 180A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IRF1404ZGPBF-VB MOSFET

IRF1404ZGPBF-VB 是一款封裝為 TO220 的單通道 N 型 MOSFET,設(shè)計(jì)用于高電流、高效能的開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最高漏源電壓 (VDS) 為 40V,柵源電壓 (VGS) 額定值為 ±20V,適合用于各種電力電子應(yīng)用中。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 3V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 15mΩ,在 VGS 為 10V 時為 2mΩ,支持高達(dá) 180A 的漏極電流。采用溝槽 (Trench) 技術(shù),IRF1404ZGPBF-VB 提供了極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)效率,特別適合用于高功率和高電流的應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 15mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:180A
- **技術(shù)**:Trench (溝槽型)

### 適用領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用舉例

1. **高功率電源管理**:IRF1404ZGPBF-VB 非常適合用于高功率電源管理系統(tǒng),如高效能 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能有效降低能量損耗,提升電源系統(tǒng)的整體效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**:在電機(jī)控制應(yīng)用中,如直流電機(jī)驅(qū)動器和無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制器,IRF1404ZGPBF-VB 提供了穩(wěn)定的開關(guān)性能和高電流處理能力,確保電機(jī)的高效啟動、運(yùn)行和停止。

3. **功率放大器**:該 MOSFET 適用于高功率音頻放大器或射頻功率放大器,能夠處理較高電壓和電流,確保放大器在高功率運(yùn)行下的穩(wěn)定性和高效性。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,尤其是在電動汽車和儲能系統(tǒng)中,IRF1404ZGPBF-VB 作為高電流負(fù)載開關(guān),能夠提供可靠的開關(guān)性能,保障電池的安全充放電及系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

5. **逆變器應(yīng)用**:在太陽能逆變器等高電壓直流轉(zhuǎn)交流電的應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠高效地處理電流和電壓,提升逆變器的整體效率和可靠性。

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