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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1404ZSTRL-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1404ZSTRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1404ZSTRL-VB MOSFET 詳細(xì)產(chǎn)品信息

#### 產(chǎn)品簡介

IRF1404ZSTRL-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝,適用于高電流和高效率的應(yīng)用。它利用 Trench 技術(shù)制造,具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和低導(dǎo)通電阻。其最大漏極源極電壓(V_DS)為 40V,適合于需要高電流處理的電子設(shè)計和功率轉(zhuǎn)換模塊。該 MOSFET 在 4.5V 的柵源電壓(V_GS)下,導(dǎo)通電阻(R_DS(on))為 2.5mΩ,在 10V 下為 2mΩ,使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,最大持續(xù)電流(I_D)為 150A。

#### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO263
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源極電壓 (V_DS)**: 40V
- **最大柵源極電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵源極閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
 - 2.5mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2mΩ @ V_GS = 10V
- **最大持續(xù)電流 (I_D)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

#### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**: IRF1404ZSTRL-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效電源管理系統(tǒng)。它可以用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊中,以提高能效和減少熱損耗。

2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,此 MOSFET 可用作電池保護(hù)開關(guān)或功率轉(zhuǎn)換器。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電動汽車的性能和續(xù)航能力。

3. **功率放大器**: 在高功率音響系統(tǒng)中,IRF1404ZSTRL-VB 可用于功率放大器的輸出級,確保系統(tǒng)能夠處理大電流而不產(chǎn)生過多的熱量,從而提高音質(zhì)和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)驅(qū)動系統(tǒng)**: 該 MOSFET 也適用于工業(yè)自動化中的馬達(dá)驅(qū)動模塊。由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,它能有效地控制高功率電機(jī)的開關(guān),確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

5. **開關(guān)電源**: 在開關(guān)電源設(shè)計中,IRF1404ZSTRL-VB 的低導(dǎo)通電阻幫助減少功率損耗,使其成為高效開關(guān)電源中的理想選擇。

這些應(yīng)用場景展示了 IRF1404ZSTRL-VB 在高電流和高效率場合中的優(yōu)勢,使其成為許多現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件。

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