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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF2804SPBF-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF2804SPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 1.4mΩ@VGS=10V
  • ID 280A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRF2804SPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,封裝為TO263。這款MOSFET具有高達(dá)40V的漏源電壓(V_DS)和280A的漏電流(I_D),適合處理大電流應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))非常低,為1.68mΩ(在V_GS = 4.5V時)和1.4mΩ(在V_GS = 10V時),從而提供卓越的開關(guān)性能。IRF2804SPBF-VB 采用Trench技術(shù)設(shè)計,旨在提供高效能和低功耗表現(xiàn),適用于高功率電源和電流管理系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRF2804SPBF-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級N溝道
- **漏源電壓(V_DS)**: 40V
- **柵源電壓(V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓(V_th)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))**:
 - 1.68mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 1.4mΩ @ V_GS = 10V
- **漏電流(I_D)**: 280A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高功率電源管理**:
  - IRF2804SPBF-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高功率電源管理系統(tǒng)。它能夠高效地管理和轉(zhuǎn)換大電流,降低功耗,提高電源系統(tǒng)的效率和可靠性。

2. **電動汽車**:
  - 在電動汽車的電機(jī)驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET的高電流承載能力和低功率損耗特性使其能夠處理高負(fù)載,支持電動汽車在高功率需求下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **工業(yè)電源**:
  - 用于工業(yè)電源模塊時,IRF2804SPBF-VB 的高電流和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的功率密度和效率,適應(yīng)工業(yè)環(huán)境中的高負(fù)荷和嚴(yán)苛條件。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET能夠處理高電流,同時保持低功耗,適合用于高效的電壓轉(zhuǎn)換,滿足各種應(yīng)用的電源需求。

5. **大功率LED驅(qū)動**:
  - 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,IRF2804SPBF-VB 適合用于大功率LED驅(qū)動電路,提供穩(wěn)定的電流控制,確保LED的高效能和長壽命。

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