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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF3415STRLPBF-VB一款TO263封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF3415STRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 75A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRF3415STRLPBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝,專為高電壓和中高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其采用 Trench 技術(shù),能夠在高電壓條件下提供穩(wěn)定的性能。該 MOSFET 的漏源電壓高達(dá) 150V,漏電流最大可達(dá) 75A,并且具有適中的導(dǎo)通電阻。IRF3415STRLPBF-VB 適用于需要高電壓和高效能的電子系統(tǒng),能夠有效地降低功率損耗和提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IRF3415STRLPBF-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單一 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 150V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 18mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 75A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

**IRF3415STRLPBF-VB** 的設(shè)計(jì)和性能使其在以下領(lǐng)域中表現(xiàn)卓越:

1. **電源管理和開(kāi)關(guān)電源**: 在高電壓開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 能夠處理較高的電壓和電流,同時(shí)保持相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻。這使得它在高電壓電源轉(zhuǎn)換和功率管理系統(tǒng)中能夠高效地運(yùn)行,減少功率損耗。

2. **電動(dòng)汽車**: 在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和充電器中,IRF3415STRLPBF-VB 的高漏源電壓和穩(wěn)定性能使其能夠有效處理高電壓下的功率轉(zhuǎn)換,保證電池系統(tǒng)的安全和效率。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在需要處理高電壓和電流的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 的高電壓承受能力和良好的熱管理特性能夠提供可靠的電流控制,確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **高功率逆變器**: 在太陽(yáng)能逆變器和其他高功率逆變應(yīng)用中,IRF3415STRLPBF-VB 能夠處理較高的電壓負(fù)荷,同時(shí)提供高效的功率轉(zhuǎn)換。其高電壓和中高電流的特性使其適用于高功率電源系統(tǒng)。

總結(jié)而言,**IRF3415STRLPBF-VB** 是一款具有高電壓能力、適中導(dǎo)通電阻和可靠性能的 MOSFET,非常適合用于高電壓和高功率應(yīng)用領(lǐng)域中的功率管理和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

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