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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MDS1655URH-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: MDS1655URH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MDS1655URH-VB 產(chǎn)品概述:

MDS1655URH-VB 是一款高效的 N 溝道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,具備優(yōu)良的導電性能和開關(guān)特性。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,漏電流(ID)可達 13A,適合多種高效能應用。該器件采用先進的溝槽(Trench)技術(shù),提供了超低的導通電阻(RDS(ON)),在 VGS = 4.5V 時為 11mΩ,而在 VGS = 10V 時更低至 8mΩ。這種特性使得 MDS1655URH-VB 在功率損耗方面表現(xiàn)卓越,能夠顯著提升設(shè)備的整體效率。其柵極閾值電壓(Vth)為 1.7V,使其在低電壓控制下也能正常工作,適合于各種電源管理和開關(guān)應用。

### 詳細參數(shù)說明:

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單 N 溝道
- **VDS (漏-源電壓)**: 30V
- **VGS (柵-源電壓)**: ±20V
- **Vth (柵極閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON) (漏源導通電阻)**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏電流)**: 13A
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench) 技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)工作,適用于各種應用環(huán)境。

### 應用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:  
  MDS1655URH-VB 非常適合用于電源管理模塊和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,尤其是在需要高效率和低功耗的場合。其低導通電阻確保在大電流傳輸時功率損耗最小化,提升了整個電源系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率。

2. **開關(guān)電源(SMPS)**:  
  該 MOSFET 適合用于開關(guān)電源(SMPS)應用,能夠提供快速開關(guān)能力和穩(wěn)定的性能。MDS1655URH-VB 能夠在高頻開關(guān)操作下保持良好的性能,適用于各類電子設(shè)備的電源供電。

3. **LED 驅(qū)動電路**:  
  在 LED 照明驅(qū)動電路中,MDS1655URH-VB 可以作為高效開關(guān)控制器,確保 LED 的穩(wěn)定驅(qū)動和高亮度輸出。其低 RDS(ON) 有助于減少發(fā)熱,提高系統(tǒng)的可靠性。

4. **電機驅(qū)動和控制**:  
  由于其良好的導電性能,MDS1655URH-VB 可用于小型電機驅(qū)動應用,提供高效的電流控制和快速響應。適合于各種電動工具和家電產(chǎn)品中,如風扇和泵等。

綜上所述,MDS1655URH-VB 以其先進的溝槽技術(shù)和低導通電阻,廣泛適用于電源管理、LED 驅(qū)動和電機控制等需要高效能和可靠性的領(lǐng)域。

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