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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MDS1660URH-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: MDS1660URH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MDS1660URH-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

MDS1660URH-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,具備30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。該器件的柵極閾值電壓(Vth)為1.7V,導通電阻(RDS(ON))低至8mΩ@VGS=10V,能夠支持高達13A的漏極電流。由于其采用先進的Trench技術,該MOSFET具備出色的低導通損耗和高開關效率,非常適合用于各種低壓應用和電源管理系統(tǒng)。

---

### MDS1660URH-VB 詳細參數(shù)說明

- **器件類型**:單N溝道MOSFET
- **封裝**:SOP8
- **技術**:Trench
- **VDS(漏源電壓)**:30V
- **VGS(柵源電壓)**:±20V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:1.7V
- **RDS(ON)(導通電阻)**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏極電流)**:13A
- **功率耗散**:依賴于系統(tǒng)散熱設計
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **特性**:
 - 低RDS(ON),減少導通損耗
 - 高效的開關性能
 - 采用Trench技術,提供更好的熱管理和效率
 - 適用于高性能電源管理和驅動電路

---

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  MDS1660URH-VB 的低導通電阻和高電流能力使其在電源管理模塊中非常適用。它可以用于DC-DC轉換器和電源穩(wěn)壓模塊,確保高效的電能轉換,并減少能量損耗。這在便攜式電子設備、通信設備及各種消費類電子產(chǎn)品的電源管理中都是至關重要的。

2. **電機控制應用**:
  由于其可承載高達13A的漏極電流,MDS1660URH-VB 適用于小型電機驅動和控制電路。它可用于低壓電機控制應用,如風扇、電動玩具和其他小型電動工具。其低開關損耗和高效率的特性使其成為電機驅動系統(tǒng)的理想選擇,能夠提高系統(tǒng)的性能和電池續(xù)航。

3. **LED照明驅動**:
  在LED照明應用中,MDS1660URH-VB 可以作為LED驅動電路中的開關元件。由于其低導通電阻,該MOSFET能夠有效地控制電流,從而提供穩(wěn)定的LED亮度。特別是在需要高效率和長壽命的照明系統(tǒng)中,MDS1660URH-VB 能夠確保LED模塊的高效能,廣泛應用于家用照明、商業(yè)照明及汽車照明系統(tǒng)中。

4. **電池管理系統(tǒng)**:
  MDS1660URH-VB 也可以用于電池管理系統(tǒng)(BMS)中的開關控制。其低RDS(ON) 和高電流能力使其適合用于充電和放電管理,確保安全和高效的電池操作。該MOSFET在智能手機、平板電腦及其他便攜式設備的電池管理中起到了關鍵作用。

5. **消費類電子產(chǎn)品**:
  由于其優(yōu)秀的電氣性能,MDS1660URH-VB 在各類消費類電子產(chǎn)品中有廣泛的應用。無論是在智能設備的電源開關、音響系統(tǒng)的功率放大器,還是其他便攜設備中,該MOSFET 都能提供高效的功率管理和控制,增強產(chǎn)品的性能和用戶體驗。

MDS1660URH-VB 的低導通損耗、高電流能力及優(yōu)越的開關性能使其在多個領域都表現(xiàn)出色,成為現(xiàn)代電子設備中不可或缺的關鍵元件。

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