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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTMS4N01R2G-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: NTMS4N01R2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTMS4N01R2G-VB 產(chǎn)品簡介

NTMS4N01R2G-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET,采用SOP8封裝設(shè)計,專為高效電源管理和開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。其低導(dǎo)通電阻和適中的閾值電壓使其在各種電子設(shè)備中實現(xiàn)高效開關(guān)操作,提供優(yōu)異的功耗性能和系統(tǒng)穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合應(yīng)用于消費電子、汽車電子和電源管理系統(tǒng),能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高效能和小型化的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: NTMS4N01R2G-VB
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單N通道MOSFET
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**  
  NTMS4N01R2G-VB 在開關(guān)電源(SMPS)和其他電源管理應(yīng)用中被廣泛使用。其低導(dǎo)通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換效率,降低能量損耗,確保電源系統(tǒng)的高效運行。

2. **LED驅(qū)動電路**  
  該MOSFET 可作為LED驅(qū)動電路中的開關(guān),實現(xiàn)精確的電流調(diào)節(jié)和亮度控制,廣泛應(yīng)用于照明和顯示技術(shù)中。

3. **電動機控制**  
  NTMS4N01R2G-VB 在電動機驅(qū)動應(yīng)用中能夠有效控制電機的啟停,適合用于電動工具、家電以及各種電動設(shè)備的控制系統(tǒng)。

4. **汽車電子**  
  此器件適合用于汽車電子系統(tǒng)中的電源開關(guān)和負(fù)載控制,能夠在動力系統(tǒng)和照明系統(tǒng)中確保高效和穩(wěn)定的性能。

5. **消費電子產(chǎn)品**  
  在智能手機、平板電腦及其他消費電子產(chǎn)品中,NTMS4N01R2G-VB 可以用作電源開關(guān)或負(fù)載控制器,優(yōu)化設(shè)備的性能和續(xù)航能力。

綜上所述,NTMS4N01R2G-VB

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