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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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P1103BVG-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): P1103BVG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P1103BVG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

P1103BVG-VB是一款高效能N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)可承受±20V,具有極低的導(dǎo)通電阻,RDS(ON)在VGS為4.5V時(shí)為11mΩ,而在10V時(shí)降至8mΩ,確保在高負(fù)載下的出色散熱性能。該器件采用了Trench技術(shù),提供了更優(yōu)的開(kāi)關(guān)特性和高可靠性,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備的電源管理和驅(qū)動(dòng)電路中。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:P1103BVG-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **漏電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**:P1103BVG-VB非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器及其他電源管理模塊,其低導(dǎo)通電阻使得在高效能下運(yùn)行,極大地降低了熱量產(chǎn)生,提升了系統(tǒng)效率。

2. **LED驅(qū)動(dòng)**:在LED照明應(yīng)用中,P1103BVG-VB能夠提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流,確保LED在不同負(fù)載條件下保持一致的亮度,延長(zhǎng)其使用壽命。

3. **便攜設(shè)備**:在智能手機(jī)、平板電腦等便攜設(shè)備中,該MOSFET可用于電池管理系統(tǒng),有效控制充電和放電過(guò)程,提高設(shè)備的整體性能。

4. **電機(jī)控制**:在小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,P1103BVG-VB能夠快速響應(yīng)并準(zhǔn)確控制電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行,適用于風(fēng)扇、泵等設(shè)備的驅(qū)動(dòng)。

5. **移動(dòng)充電器**:在移動(dòng)充電器中,該器件可以實(shí)現(xiàn)高效的電流管理,確保在充電過(guò)程中的安全和效率,滿足快速充電需求。

這些特性和應(yīng)用領(lǐng)域使P1103BVG-VB成為多種電子應(yīng)用中理想的開(kāi)關(guān)元件。

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