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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PHN103-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): PHN103-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### PHN103-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PHN103-VB 是一款高性能的單N通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其 VDS 額定值為 30V,適用于低至中壓的電子電路。該器件具有較低的 RDS(ON) 值(11mΩ@VGS=4.5V 和 8mΩ@VGS=10V),使其在高電流應(yīng)用中具有卓越的導(dǎo)通效率,能夠顯著降低熱損耗。最大漏電流 ID 達(dá)到 13A,使其適合多種電源和驅(qū)動(dòng)需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: PHN103-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N通道
- **漏極到源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 11mΩ@VGS=4.5V
 - 8mΩ@VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: PHN103-VB 適用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān),低 RDS(ON) 值有助于提高轉(zhuǎn)換效率,減少熱量產(chǎn)生。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 可以作為功率開關(guān),適合用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),提供穩(wěn)定的電流控制。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**: PHN103-VB 在 LED 照明應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠高效驅(qū)動(dòng)高功率 LED,確保最佳亮度和較長(zhǎng)的使用壽命。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 該器件的低閾值電壓和高電流承載能力使其非常適合用于電池充電和放電管理系統(tǒng),能夠有效控制電流流動(dòng),提升電池性能和安全性。

通過這些應(yīng)用示例,可以看出 PHN103-VB 是一款在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中具備廣泛應(yīng)用潛力的高效 MOSFET 解決方案。

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