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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI4802DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: SI4802DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**  
SI4802DY-T1-E3-VB是一款高效的N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET具有最大30V的漏極-源極電壓(VDS)和13A的漏極電流(ID),非常適合高效的電源管理和負載開關(guān)應(yīng)用。SI4802DY-T1-E3-VB采用Trench技術(shù),具有低導通電阻(RDS(ON)為8mΩ@VGS=10V,11mΩ@VGS=4.5V),能夠在減少功耗的同時提供快速的開關(guān)性能,適合用于需要高效率和低能耗的系統(tǒng)。

憑借其高電流處理能力和低導通電阻,SI4802DY-T1-E3-VB可在廣泛的應(yīng)用場合中提供可靠的性能,尤其是在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換、驅(qū)動電路等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

**詳細參數(shù)說明:**  
- **封裝:** SOP8  
- **配置:** 單N溝道  
- **VDS:** 30V  
- **VGS:** ±20V  
- **Vth:** 1.7V  
- **RDS(ON):**  
 - 8mΩ@VGS=10V  
 - 11mΩ@VGS=4.5V  
- **ID:** 13A  
- **技術(shù):** Trench技術(shù),低RDS(ON),適用于高效電源管理和負載控制應(yīng)用。

**適用領(lǐng)域與模塊舉例:**  
SI4802DY-T1-E3-VB的高電流和低導通電阻使其成為高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的理想選擇,廣泛應(yīng)用于**DC-DC轉(zhuǎn)換器**,尤其是在要求高效電能轉(zhuǎn)換和較低功耗的應(yīng)用中,例如**便攜式設(shè)備**、**通信設(shè)備**和**消費類家電**中的電源管理模塊。通過其低RDS(ON)特性,該MOSFET有助于減少轉(zhuǎn)換過程中的能量損失,提升系統(tǒng)的整體效率。

此外,SI4802DY-T1-E3-VB在**電池管理系統(tǒng)**中的應(yīng)用也非常廣泛,尤其適用于**電動工具**、**電動自行車**、**無人機**等設(shè)備。其低導通電阻和高電流處理能力確保了電池充放電過程中的高效電能管理,延長電池壽命并優(yōu)化性能。

在**LED驅(qū)動電路**中,該MOSFET能實現(xiàn)精確的電流控制,提升照明系統(tǒng)的功率效率,特別是在要求高穩(wěn)定性和長壽命的應(yīng)用中。其出色的開關(guān)性能還使其適用于**電動機驅(qū)動系統(tǒng)**,確保高效、穩(wěn)定地驅(qū)動電動機,廣泛應(yīng)用于**智能家居設(shè)備**、**家電**及**汽車電子**等領(lǐng)域。

總之,SI4802DY-T1-E3-VB憑借其高效、可靠的性能,適用于**功率放大器**、**電源管理模塊**、**電源分配模塊**等各種應(yīng)用,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對能效、穩(wěn)定性和可靠性的嚴格要求。

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