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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SPN4402S8RG-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: SPN4402S8RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. **產品簡介:**

**SPN4402S8RG-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低壓、高效電源和開關應用設計。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 30V,適用于低電壓和中電壓范圍的電源管理、電池驅動和開關電路。SPN4402S8RG-VB 具有最大柵源電壓(VGS)為 ±20V 的高柵壓適應性,確保其能在廣泛的工作電壓范圍內穩(wěn)定操作。其閾值電壓(Vth)為 1.7V,使其能夠在較低柵電壓下導通,從而實現(xiàn)快速響應和高效開關。該 MOSFET 在 VGS=10V 時的導通電阻(RDS(ON))為 8mΩ,在 VGS=4.5V 時為 11mΩ,表明其具有極低的導通損耗,能有效提高能效,減少熱損耗。SPN4402S8RG-VB 可承載最大 13A 的漏極電流,廣泛應用于需要高開關頻率和高效率的大電流場合。

### 2. **詳細的參數說明:**

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 時,RDS(ON) 為 11mΩ
 - VGS=10V 時,RDS(ON) 為 8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術**:Trench
- **典型應用領域**:電源管理、開關電源、電池驅動、DC-DC 轉換器、低壓電機驅動

### 3. **應用舉例:**

- **電源管理系統(tǒng)**:SPN4402S8RG-VB 可廣泛應用于電源管理系統(tǒng),尤其是在 DC-DC 轉換器、電池充電器和其他電源調節(jié)電路中。由于其低導通電阻(8mΩ),它能夠提供高效的開關性能,減少能量損耗和熱產生。對于要求高效電壓轉換的設備(如筆記本電腦、通信設備等),該 MOSFET 是理想的選擇。

- **電池驅動系統(tǒng)**:在電池驅動系統(tǒng)中,SPN4402S8RG-VB 可作為開關元件控制電池的充放電過程。其 13A 的最大漏極電流承載能力使其適用于高電流電池管理系統(tǒng)(BMS),特別是在電動工具、電動自行車和電動玩具等應用中,能夠有效管理電池電流,提高充電和放電效率。

- **低壓電機驅動**:SPN4402S8RG-VB 也可用于低壓電機驅動系統(tǒng)。其低導通電阻和較高的電流承載能力使其適合用于中小功率的電動工具、電動風扇、泵類設備等。這些設備通常需要頻繁的開關操作,而 SPN4402S8RG-VB 可以提供快速響應和低功率損耗,從而提高電機驅動系統(tǒng)的效率。

- **DC-DC 轉換器**:在 DC-DC 轉換器應用中,SPN4402S8RG-VB 作為開關元件能夠高效地進行電壓轉換,尤其是在要求高效率和快速響應的低壓系統(tǒng)中。它常用于通信設備、消費電子產品、汽車電源管理系統(tǒng)等領域,確保系統(tǒng)的高效運作和長時間運行。

- **便攜式電子設備**:對于便攜式電子設備(如智能手機、平板電腦、筆記本電腦等),SPN4402S8RG-VB 可以作為開關元件,用于電源管理模塊,支持高效電池充放電和穩(wěn)壓控制。由于其低 RDS(ON) 和較高的電流處理能力,能夠保證設備在長時間高效運行時,減少能量浪費并優(yōu)化熱管理。

總之,SPN4402S8RG-VB 是一款低電壓、大電流承載能力的 N-Channel MOSFET,適用于多種電源管理、開關電源、電池驅動和電動工具應用。它提供了低導通電阻和高電流處理能力,是低壓高效電源系統(tǒng)中的理想選擇。

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