--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. **產(chǎn)品簡介:**
SPN4412BS8RGB-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低電壓應(yīng)用設(shè)計。該產(chǎn)品具有較低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS = 4.5V 時為 11mΩ,VGS = 10V 時為 8mΩ,從而提供優(yōu)異的功率傳輸效率。其工作電壓為 VDS 30V,最大漏極電流為 13A,適用于高效能、低功耗的電源轉(zhuǎn)換及控制應(yīng)用。
采用 Trench 技術(shù),SPN4412BS8RGB-VB 可為高性能電源管理系統(tǒng)提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,特別是在需要高導通效率和快速開關(guān)響應(yīng)的場合,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)和電動工具等。
### 2. **詳細的參數(shù)說明:**
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單 N 通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:20V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench
- **最大功耗**:根據(jù)應(yīng)用環(huán)境而定,具體可參照數(shù)據(jù)手冊
- **工作溫度范圍**:根據(jù)數(shù)據(jù)手冊確定
- **輸入電壓范圍**:VGS ≤ 20V
### 3. **應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:**
SPN4412BS8RGB-VB 在多個領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用,尤其是在高效能電源管理模塊中。以下是幾個典型的應(yīng)用場景:
- **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:該 MOSFET 可以用于各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,尤其是需要高效電源管理的低電壓應(yīng)用。低 RDS(ON) 值能有效減少功率損失,提高系統(tǒng)整體效率,適用于從 5V 到 30V 的電源輸入輸出轉(zhuǎn)換。
- **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:適用于電池充電、放電和電池保護系統(tǒng),特別是電動工具、電動汽車或移動設(shè)備的電池管理。低 RDS(ON) 和高電流承載能力可以提供高效的電池管理,延長電池壽命并提高性能。
- **電動工具與家電設(shè)備**:在電動工具和其他高功率家電設(shè)備中,SPN4412BS8RGB-VB 可以提供穩(wěn)定、高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。低導通電阻可以最大限度減少溫升,提高設(shè)備可靠性。
- **電源管理與電池充電器**:其高效能特性使其成為電池充電器及其他電源管理系統(tǒng)中的理想選擇,能夠提供快速而穩(wěn)定的電流傳輸,確保系統(tǒng)的高效工作。
- **開關(guān)電源和電源模塊**:用于AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器中,特別是在高效率、低功耗設(shè)計需求的應(yīng)用場景中。它能夠滿足高頻、高功率轉(zhuǎn)換和低損耗要求。
通過其卓越的低導通電阻和高電流能力,SPN4412BS8RGB-VB 成為現(xiàn)代高效能電源管理解決方案的重要組成部分,廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制及綠色能源設(shè)備等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12