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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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TPC8007-H-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): TPC8007-H-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:TPC8007-H-VB

TPC8007-H-VB是一款采用SOP8封裝的單N通道MOSFET,具有出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,專為高效電力轉(zhuǎn)換和高頻率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為30V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,門檻電壓(Vth)為1.7V。其在柵源電壓為4.5V和10V時(shí),具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)分別為11mΩ和8mΩ),可實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的效率。TPC8007-H-VB特別適用于要求高效率和低功耗的電力管理系統(tǒng),能夠滿足多個(gè)電子產(chǎn)品的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**: TPC8007-H-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N通道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 4.5V柵源電壓下:11mΩ
 - 10V柵源電壓下:8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊:

TPC8007-H-VB MOSFET適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,以下是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景:

1. **電源管理**:
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,TPC8007-H-VB能夠有效降低導(dǎo)通損耗,并提高轉(zhuǎn)換效率。由于其低導(dǎo)通電阻,能夠提供更高的電流輸出,適用于高效電源模塊設(shè)計(jì),如低壓差穩(wěn)壓器(LDO)和同步整流電路。
  
2. **電池供電設(shè)備**:
  - 在移動(dòng)設(shè)備和電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,TPC8007-H-VB可用于電池保護(hù)電路和電池管理系統(tǒng)(BMS),能夠通過(guò)其低導(dǎo)通電阻減少電池?fù)p耗,延長(zhǎng)電池使用壽命,尤其是在充電與放電過(guò)程中提供高效的開關(guān)控制。

3. **電動(dòng)工具和消費(fèi)電子**:
  - 對(duì)于電動(dòng)工具和消費(fèi)電子產(chǎn)品,TPC8007-H-VB可以應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率調(diào)節(jié)電路。其較低的RDS(ON)可以降低功率損耗,提高設(shè)備的工作效率,從而延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。
  
4. **LED驅(qū)動(dòng)電源**:
  - 在LED照明領(lǐng)域,TPC8007-H-VB可以作為驅(qū)動(dòng)電源中的開關(guān)元件,控制電流的流動(dòng)并提高功率轉(zhuǎn)換效率。由于其良好的熱管理和低功耗特性,可以用于高效能LED燈具設(shè)計(jì)。

5. **通訊設(shè)備**:
  - TPC8007-H-VB適用于無(wú)線通訊設(shè)備的電源管理模塊,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)并維持低功耗,適合應(yīng)用于基站電源和其他無(wú)線通訊設(shè)備中。

總結(jié)而言,TPC8007-H-VB是一款高效、低功耗的N通道MOSFET,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在要求高效電力轉(zhuǎn)換和低熱損耗的場(chǎng)景下表現(xiàn)出色。

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