1. **產(chǎn)品簡介**
ZXMN3B04N8TA-VB 是一款單極性 N 通道 MOSFET，采用 Trench 技術(shù)，具有低導通電阻（RDS(ON)）特性，適用于需要高效能和低功耗的應用。該產(chǎn)品具有 30V 的漏源電壓（VDS）和 13A 的最大漏極電流（ID），適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等多種應用。
2. **詳細參數(shù)說明**
- **封裝類型**：SOP-8
- **配置**：單 N 通道
- **漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：13A
- **技術(shù)**：Trench
3. **應用領(lǐng)域和模塊**
ZXMN3B04N8TA-VB 可廣泛應用于低電壓、高效率的開關(guān)電源（如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、步進電源），電機驅(qū)動（如無刷直流電機控制）、負載開關(guān)、負載保護、LED 驅(qū)動器等電路中。由于其低 RDS(ON) 特性，這款 MOSFET 能夠在大電流應用中有效減少功耗并提高系統(tǒng)效率，特別適合需要高開關(guān)頻率和小尺寸封裝的設(shè)計。
