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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFIB7N50APBF-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFIB7N50APBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

IRFIB7N50APBF-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。它專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),具有高達(dá)650V的漏源電壓(VDS),適用于要求高耐壓的開關(guān)和控制任務(wù)。此MOSFET使用Planar技術(shù),適合于需要穩(wěn)定性能的高電壓環(huán)境。雖然其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為830mΩ,ID(漏極電流)為10A,但它的高電壓承受能力使其在高電壓開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號(hào)**: IRFIB7N50APBF-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Planar(平面技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **高壓電源開關(guān)**: IRFIB7N50APBF-VB 適用于高電壓電源開關(guān)應(yīng)用,如在高電壓直流電源中用于控制電流開關(guān)。其650V的漏源電壓允許它在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作,并且其較高的導(dǎo)通電阻和漏極電流額定值使其適合在這些條件下穩(wěn)定控制電源。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在需要高電壓的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,IRFIB7N50APBF-VB 可以作為高電壓電機(jī)控制的開關(guān)元件。它能夠在高電壓下穩(wěn)定工作,控制電機(jī)的啟停,并提供可靠的性能,適用于高壓直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

3. **功率轉(zhuǎn)換器**: 在高電壓功率轉(zhuǎn)換器(如DC-DC轉(zhuǎn)換器)中,IRFIB7N50APBF-VB 作為開關(guān)元件能夠處理高電壓輸入和輸出。它的高電壓承受能力和穩(wěn)定的開關(guān)特性提高了轉(zhuǎn)換器的效率和可靠性。

4. **逆變器**: 用于高電壓逆變器(如用于太陽能系統(tǒng)的逆變器)中,IRFIB7N50APBF-VB 能夠處理高電壓負(fù)載,進(jìn)行有效的電流開關(guān)。它的高電壓和高耐壓特性確保了逆變器在高電壓條件下的穩(wěn)定性和性能。

5. **電力管理系統(tǒng)**: 在電力管理系統(tǒng)中,IRFIB7N50APBF-VB 可以用作高電壓開關(guān)元件,控制電源分配和管理,尤其是在需要高電壓開關(guān)和穩(wěn)定性能的場(chǎng)合,如高壓電池管理系統(tǒng)或電力變換設(shè)備中。

IRFIB7N50APBF-VB 的高電壓耐受能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能使其在高電壓電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率轉(zhuǎn)換器、逆變器和電力管理系統(tǒng)等應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其在高電壓和高電流的控制要求下。

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