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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFIBC40GLCPBF-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFIBC40GLCPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

IRFIBC40GLCPBF-VB 是一款高電壓單 N 溝道功率 MOSFET,封裝形式為 TO220F。該 MOSFET 具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 7A 的漏極電流 (ID),適用于高電壓環(huán)境下的開關(guān)和控制。它采用 Plannar 技術(shù),提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。IRFIBC40GLCPBF-VB 的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,能夠滿足高電壓場景中的功率開關(guān)需求。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **VDS (漏源電壓)**: 650V
- **VGS (柵源電壓)**: ±30V
- **Vth (閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:  
 - 1100mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar 技術(shù)

IRFIBC40GLCPBF-VB 的高 VDS 能力和適中的 RDS(ON) 提供了良好的高電壓開關(guān)性能。雖然其導(dǎo)通電阻相對較高,但其設(shè)計仍然適用于需要高電壓耐受能力的應(yīng)用。

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高壓電源開關(guān)**  
  IRFIBC40GLCPBF-VB 適合用于高壓電源開關(guān)應(yīng)用,例如高電壓直流電源的開關(guān)控制。其 650V 的漏源電壓能力確保能夠處理高電壓環(huán)境中的開關(guān)任務(wù),同時提供可靠的性能。

2. **電力逆變器**  
  在電力逆變器(如太陽能或風能逆變器)中,IRFIBC40GLCPBF-VB 可以作為高電壓直流輸入的開關(guān)組件。其高 VDS 能力適用于逆變器電路中的高電壓開關(guān),有助于提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

3. **高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)**  
  對于高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)(例如一些工業(yè)電機和電動泵),IRFIBC40GLCPBF-VB 可以用于功率開關(guān)。雖然其導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓能力使其在高電壓電機控制系統(tǒng)中仍然能夠穩(wěn)定運行。

4. **電源管理與保護**  
  在高電壓電源管理系統(tǒng)中,IRFIBC40GLCPBF-VB 可以用于電源保護和開關(guān)控制。盡管其 RDS(ON) 較高,但在高電壓電源系統(tǒng)中仍能有效工作,保護電源系統(tǒng)免受過載和短路等異常情況的影響。

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