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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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ISA04N60A-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): ISA04N60A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(ISA04N60A-VB)

ISA04N60A-VB 是一款高電壓N型功率MOSFET,采用TO-220F封裝,專(zhuān)為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件可承受高達(dá)650V的漏源電壓(VDS),使其適用于各種工業(yè)和電力電子應(yīng)用。其柵源電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,具備較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS=10V)。ISA04N60A-VB 的最大漏極電流(ID)為4A,適合需要高可靠性和高耐壓能力的環(huán)境。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝類(lèi)型**: TO-220F
2. **配置**: 單通道N型MOSFET
3. **漏源電壓 (VDS)**: 650V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
5. **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**: 4A
8. **技術(shù)類(lèi)型**: 平面(Plannar)技術(shù)
9. **最大功耗 (Ptot)**: 根據(jù)散熱情況,可承受的功率通常在30W左右。
10. **工作溫度范圍**: -55°C 到 +150°C

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: ISA04N60A-VB 適合用于高壓開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主功率開(kāi)關(guān)。其高耐壓特性使其能夠在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作,提高轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、服務(wù)器電源等領(lǐng)域。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該MOSFET能夠有效控制電機(jī)的啟停和速度,適合用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和電動(dòng)工具中。它在電機(jī)控制應(yīng)用中提供了高效的功率管理,確保電機(jī)在高電壓下運(yùn)行穩(wěn)定。

3. **照明控制**: 在LED驅(qū)動(dòng)和其他照明控制應(yīng)用中,ISA04N60A-VB 能夠處理高電壓和高電流,確保燈具在各種工作條件下的穩(wěn)定性和效率,特別是在商業(yè)和工業(yè)照明系統(tǒng)中。

4. **電力電子設(shè)備**: 由于其高耐壓和相對(duì)較低的導(dǎo)通損耗,該MOSFET 常用于電力電子設(shè)備,如逆變器和整流器,適合于可再生能源系統(tǒng)(如太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器)以及電池管理系統(tǒng)中。

ISA04N60A-VB 的優(yōu)異性能使其在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域具有廣泛的適用性,能夠滿(mǎn)足多種工業(yè)需求。

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