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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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ITA08N65A-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): ITA08N65A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(ITA08N65A-VB)

ITA08N65A-VB 是一款高電壓N型功率MOSFET,采用TO-220F封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有650V的漏源電壓(VDS),并支持±30V的柵源電壓(VGS),使其在高壓環(huán)境中運(yùn)行穩(wěn)定。其閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 1100mΩ @ VGS=10V)相對(duì)較低,使其在大電流條件下具有良好的功率效率。ITA08N65A-VB 的最大漏極電流(ID)為7A,非常適合需要高可靠性和耐壓能力的應(yīng)用。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型**: TO-220F
2. **配置**: 單通道N型MOSFET
3. **漏源電壓 (VDS)**: 650V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
5. **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**: 7A
8. **技術(shù)類型**: 平面(Plannar)技術(shù)
9. **最大功耗 (Ptot)**: 根據(jù)散熱情況,通??沙惺艿墓β试?0W左右。
10. **工作溫度范圍**: -55°C 到 +150°C

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**: ITA08N65A-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源(SMPS),作為主開關(guān)元件。其高耐壓特性和相對(duì)較低的導(dǎo)通損耗使其能夠在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作,廣泛應(yīng)用于電源適配器、服務(wù)器電源等領(lǐng)域。

2. **工業(yè)設(shè)備控制**: 在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中,該MOSFET 可用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和執(zhí)行器,確保在高電壓條件下的可靠操作。其穩(wěn)定性和高耐壓能力使其成為控制電動(dòng)工具和重型機(jī)械的理想選擇。

3. **LED驅(qū)動(dòng)和照明系統(tǒng)**: 在大功率LED照明應(yīng)用中,ITA08N65A-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流,確保燈具在高電壓下的高效工作。特別是在商業(yè)和工業(yè)照明系統(tǒng)中,其高電壓承受能力能夠滿足嚴(yán)苛的應(yīng)用需求。

4. **電力電子設(shè)備**: 由于其高耐壓和穩(wěn)定性,該MOSFET 常用于逆變器和整流器,適合于可再生能源系統(tǒng)(如太陽能逆變器)和電池管理系統(tǒng)中,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸。

ITA08N65A-VB 的優(yōu)異性能使其在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域具有廣泛的適用性,能夠滿足多種工業(yè)需求。

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