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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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JCS10N65FT-O-F-N-B-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: JCS10N65FT-O-F-N-B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 通道 MOSFET,設(shè)計用于高電壓和高功率應用。該器件能夠承受高達 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),使其適合在嚴苛環(huán)境下使用。JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 采用平面(Plannar)技術(shù),提供了較高的耐壓性能和穩(wěn)定的導電特性。在柵極電壓為 10V 時,導通電阻 (RDS(ON)) 為 830mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 10A。這種設(shè)計使其在高電流和高電壓條件下表現(xiàn)出色,適合多種電源和開關(guān)應用。

**二、詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單 N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:10A  
- **技術(shù)**:平面(Plannar)

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源適配器**:JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 可廣泛應用于高功率電源適配器中,尤其是在需要高壓輸出的場合。由于其高耐壓特性和低導通電阻,能夠有效提升電源效率,降低功耗。

2. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 常用于電機驅(qū)動和負載控制電路。其能夠處理高達 10A 的漏極電流,確保電動機和其他負載的穩(wěn)定運行,提高系統(tǒng)的可靠性。

3. **開關(guān)電源**:在開關(guān)電源模塊中,JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 是理想的開關(guān)元件。其快速的開關(guān)特性和高耐壓性能使其能夠在高頻操作條件下有效工作,確保電源輸出的穩(wěn)定性和效率。

4. **可再生能源設(shè)備**:在光伏逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)中,JCS10N65FT-O-F-N-B-VB 可用于電能轉(zhuǎn)換和管理,幫助提高可再生能源系統(tǒng)的整體效率。由于其高耐壓能力,適合在復雜的電力環(huán)境中使用,確保系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定運行。

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