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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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JCS4N60FC-O-F-N-B-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: JCS4N60FC-O-F-N-B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、JCS4N60FC-O-F-N-B-VB 產(chǎn)品簡介
JCS4N60FC-O-F-N-B-VB 是一款高電壓 N-溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓 (VDS) 可達 650V,最大漏極電流 (ID) 為 4A,閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,導通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ(@VGS=10V)。憑借其 Plannar 技術(shù),該器件提供優(yōu)越的熱性能和可靠性,適合各種電力電子設(shè)備的設(shè)計和應(yīng)用。

### 二、JCS4N60FC-O-F-N-B-VB 詳細參數(shù)說明
- **型號**:JCS4N60FC-O-F-N-B-VB  
- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單 N-溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ(@VGS=10V)  
- **最大漏極電流 (ID)**:4A  
- **技術(shù)**:平面(Plannar)  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **功耗**:具體功耗依賴于實際應(yīng)用電路設(shè)計  
- **開關(guān)速度**:適合一般開關(guān)應(yīng)用  
- **耐壓性**:高耐壓,適合高壓電路設(shè)計  

### 三、JCS4N60FC-O-F-N-B-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**  
  JCS4N60FC-O-F-N-B-VB 可廣泛應(yīng)用于高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 電源模塊,處理650V高電壓,確保電力轉(zhuǎn)換過程的高效性和穩(wěn)定性。

2. **電動機控制**  
  該器件在電機驅(qū)動系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合于工業(yè)自動化和電動汽車等領(lǐng)域。其高電流能力和良好的開關(guān)性能能夠高效控制電動機的啟動和運行。

3. **照明系統(tǒng)**  
  JCS4N60FC-O-F-N-B-VB 適合用于高壓照明應(yīng)用,如LED照明和高壓氣體放電燈,能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,確保照明設(shè)備的高效性和可靠性。

4. **功率放大器**  
  該 MOSFET 還可用于高壓功率放大器,在通信和廣播設(shè)備中進行信號放大,滿足高功率和高電壓的需求,適合各種射頻應(yīng)用。

綜上所述,JCS4N60FC-O-F-N-B-VB 是一款高效、可靠的 N-溝道 MOSFET,適用于多種高壓電力電子應(yīng)用,為現(xiàn)代電源設(shè)計提供卓越的性能和穩(wěn)定性。

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