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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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JCS840F-O-F-N-B-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: JCS840F-O-F-N-B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

JCS840F-O-F-N-B-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 通道 MOSFET,旨在滿足高電壓和中等電流應(yīng)用的需求。其最大漏源電壓 (VDS) 為 650V,柵源電壓 (VGS) 可承受 ±30V,適合在多種電力系統(tǒng)中使用。該器件的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,導通電阻 (RDS(ON)) 為 680mΩ(在 VGS 為 10V 時),漏極電流 (ID) 可達到 12A。其平面(Plannar)技術(shù)確保了器件的高效能和穩(wěn)定性,使其在電源管理和電機控制等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

**二、詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單 N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:680mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:12A  
- **技術(shù)**:平面(Plannar)  

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:JCS840F-O-F-N-B-VB 常用于電源轉(zhuǎn)換器,特別是需要高電壓和高效率的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。這種 MOSFET 能夠在電源轉(zhuǎn)換過程中保持低的導通損耗,提升整體系統(tǒng)效率。

2. **電機控制**:在工業(yè)自動化和電動機驅(qū)動應(yīng)用中,該器件可用作開關(guān)元件,控制電機的啟停與運行狀態(tài),提供高效的電力管理。

3. **開關(guān)電源**:該 MOSFET 適用于開關(guān)電源設(shè)計中,能夠承受高頻率操作下的高電壓,有助于提升開關(guān)電源的性能和穩(wěn)定性。

4. **高壓應(yīng)用**:在一些需要高電壓控制的消費電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備中,JCS840F 能夠安全有效地進行電源管理,確保設(shè)備在極端條件下的可靠運行。

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