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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K1101-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K1101-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、K1101-01MR-VB 產品簡介
K1101-01MR-VB 是一款高性能的單 N-溝道 MOSFET,專為高電壓和中等電流應用設計,具有650V的漏源極電壓 (VDS) 和±30V的柵源極電壓 (VGS) 承受能力。該器件采用 TO220F 封裝,便于散熱和安裝,具備出色的電氣性能。其閾值電壓 (Vth) 為3.5V,導通電阻 (RDS(ON)) 在10V柵壓下為680mΩ,確保在運行過程中的良好效率。K1101-01MR-VB 采用平面技術(Plannar),具有穩(wěn)定的性能和可靠的熱管理能力,適用于多種電子應用領域。

### 二、K1101-01MR-VB 詳細參數說明

| 參數                     | 數值                   |
| ------------------------ | ---------------------- |
| **型號**                 | K1101-01MR-VB          |
| **封裝類型**             | TO220F                 |
| **配置**                 | 單 N-溝道              |
| **最大漏源電壓 (VDS)**   | 650V                   |
| **最大柵源電壓 (VGS)**   | ±30V                   |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 3.5V                   |
| **導通電阻 (RDS(ON))**   | 680mΩ @ VGS=10V       |
| **最大漏極電流 (ID)**     | 12A                    |
| **技術類型**             | Plannar                |
| **工作溫度范圍**         | -55°C 至 150°C        |

### 三、適用領域和模塊舉例

1. **高壓開關電源**  
  K1101-01MR-VB 適用于高壓開關電源模塊,能夠承受高達650V的輸入電壓,廣泛應用于工業(yè)電源和家用電器。其較低的導通電阻有效減少了功率損耗,提高了能效,使其成為高效率電源設計的理想選擇。

2. **LED驅動電路**  
  在 LED 照明應用中,該 MOSFET 能夠提供穩(wěn)定的電流,確保 LED 在高電壓條件下安全可靠地工作。由于其較低的導通損耗,能夠提升 LED 驅動電路的整體效率,廣泛應用于商業(yè)和家庭照明系統(tǒng)。

3. **電機控制**  
  K1101-01MR-VB 適合用于電動機控制系統(tǒng),特別是在需要高電壓的中等功率電機應用中。其優(yōu)異的開關性能和熱管理能力,使得該器件能夠高效地控制電機的啟動、停止及調速,應用于工業(yè)自動化設備和家電中。

4. **電源轉換器和逆變器**  
  該 MOSFET 也適用于電源轉換器和逆變器,尤其在可再生能源系統(tǒng)中,如太陽能逆變器。其高耐壓特性和出色的導通性能,確保在高負載條件下的穩(wěn)定工作,提高能量轉換效率。

5. **汽車電子應用**  
  K1101-01MR-VB 同樣適用于汽車電子領域,如電動座椅和車載照明系統(tǒng)。憑借其可靠性和穩(wěn)定性,該 MOSFET 能夠滿足汽車電氣設備在嚴苛環(huán)境中的使用要求,確保長時間穩(wěn)定運行。

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