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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1637-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1637-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1637-VB 產(chǎn)品簡介

K1637-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET 的額定漏源電壓(VDS)為650V,能夠適應(yīng)多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。柵源電壓(VGS)可達±30V,使其在高電壓環(huán)境中工作穩(wěn)定。閾值電壓(Vth)為3.5V,能夠在適中的柵源電壓下實現(xiàn)導(dǎo)通,提供良好的開關(guān)性能。在VGS=10V時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2560mΩ,雖然相較于更低阻抗的MOSFET有所提高,但仍能滿足一般電流應(yīng)用的需求。最大漏電流(ID)為4A,確保在合適負載條件下的可靠運行。

### K1637-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:K1637-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N通道
- **額定漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

K1637-VB 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用,以下是一些具體示例:

1. **電源管理**:由于其高壓能力,該MOSFET 適合應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)和直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter),在高壓電源系統(tǒng)中提供可靠的開關(guān)性能。

2. **電動工具**:在電動工具和便攜式設(shè)備中,K1637-VB 可用于功率調(diào)節(jié)和電源管理,確保設(shè)備在高負載情況下的正常工作。

3. **工業(yè)設(shè)備**:在工業(yè)自動化設(shè)備中,該MOSFET 可用于電機驅(qū)動和電源管理模塊,提供高效的控制和保護。

4. **可再生能源**:在光伏逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中,K1637-VB 可用于能量轉(zhuǎn)換和管理,支持可再生能源的有效利用。

5. **汽車電子**:該MOSFET 也適合用于汽車電子系統(tǒng),如高壓電池管理和功率轉(zhuǎn)換模塊,以確保汽車在復(fù)雜電力系統(tǒng)中的安全性和可靠性。

綜上所述,K1637-VB 是一款適用于高壓和中等電流應(yīng)用的MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動工具、工業(yè)設(shè)備、可再生能源和汽車電子等領(lǐng)域,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高性能和可靠性的需求。

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