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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2097-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2097-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2097-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:

K2097-VB 是一款高壓 **單N溝道** MOSFET,專為各種功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用 **TO220F** 封裝,具有出色的熱性能和可靠的機(jī)械強(qiáng)度。這款 MOSFET 的 **漏源電壓 (VDS)** 可達(dá)到 650V,適合在高電壓環(huán)境下運(yùn)行。其門源電壓 (VGS) 額定為 ±30V,確保能夠承受電壓波動的挑戰(zhàn)。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,保證了開關(guān)過程中的可靠性和穩(wěn)定性。在 VGS=10V 的條件下,其 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 為 2560mΩ,能夠支持高達(dá) 4A 的漏電流。采用 **平面技術(shù)** 的設(shè)計(jì)使得該產(chǎn)品在開關(guān)性能和能效方面表現(xiàn)優(yōu)異。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號**:K2097-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **門源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面
- **工作溫度**:通常在廣泛的溫度范圍內(nèi)額定。

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

K2097-VB 特別適用于高壓開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換模塊,因其 650V 的 VDS 額定值,以下是一些應(yīng)用示例:

1. **開關(guān)電源**:K2097-VB 是開關(guān)電源應(yīng)用中的理想選擇,特別是在 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,能夠在高電壓下穩(wěn)定地工作,提升能量轉(zhuǎn)換效率并減少熱量產(chǎn)生。

2. **電機(jī)控制**:該 MOSFET 可用于各種電機(jī)驅(qū)動和逆變器系統(tǒng),尤其是在需要高電壓操作的小型電機(jī)控制應(yīng)用中,如 HVAC 系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備。

3. **照明應(yīng)用**:K2097-VB 可以應(yīng)用于高壓照明鎮(zhèn)流器,如熒光燈和高強(qiáng)度氣體放電燈,作為控制電流和亮度的開關(guān)組件,保證系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:在可再生能源和儲能解決方案中,K2097-VB 適用于電池管理系統(tǒng),確保在充放電過程中對電池進(jìn)行安全和高效的控制。

憑借其高漏源電壓和可靠的平面技術(shù),K2097-VB 是工業(yè)、商業(yè)和能源領(lǐng)域中高壓低電流應(yīng)用的理想選擇。

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